公开(公告)号：CN111052402A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880057729.9

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 吉河训太 ,  口山崇

IPC: H01L31/10

Abstract: 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，包括分离的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的显露在主面的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的显露在主面的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则对于第1灵敏度区域而言，接收向受光面入射的入射光的至少一部分，成为随着主面中的被照射入射光的照射区域R的增大而减小照射区域R中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率的图案。

公开(公告)号：CN104603320B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380045444.0

申请日：2013-08-23

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 早川弘毅 ,  口山崇 ,  上田拓明

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B37/00 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/041 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/22 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2203/1194

Abstract: 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10‑4Ωcm。

公开(公告)号：CN104603320A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045444.0

申请日：2013-08-23

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 早川弘毅 ,  口山崇 ,  上田拓明

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B37/00 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/041 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/22 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2203/1194

Abstract: 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10-4Ωcm。

公开(公告)号：CN104067353A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006560.1

申请日：2013-01-18

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 口山崇 ,  早川弘毅 ,  上田拓明 ,  藤本贵久 ,  山本宪治

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00

CPC classification number: H05K1/0274 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/306 ,  H01L2251/308 ,  H05K1/092 ,  H05K2201/0329 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10-4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×1020/cm3～9×1020/cm3，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。

公开(公告)号：CN1882659A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200480034499.2

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 上手纯 ,  口山崇

IPC: C08L83/05 ,  C08L101/02 ,  F16C13/00 ,  G03G15/00

Abstract: 对于装入电子照相方式的图像形成装置中的辊，由导电性轴周围设的至少1层的弹性层与其外周设的至少1层的被覆层构成的弹性辊边与其他部件接触边进行旋转时，产生弹性层与被覆层的界面处的剥离，成为问题。通过使用以(A)～(D)成分为必须成分的固化性组合物，解决了前述课题。(A)分子中有至少1个能氢化甲硅烷基化反应的链烯基，并且没有烷氧基和/或环氧基的有机聚合物，(B)分子中有至少2个氢化甲硅烷基的化合物，(C)氢化甲硅烷基化催化剂，(D)含有下述通式(1)M－OR(1)(M：选自硅原子、铝原子、钛原子的原子，R：烷基、链烯基等的有机基)所示结构的化合物和/或含有环氧基的化合物。

公开(公告)号：CN113767009B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202080022321.5

申请日：2020-02-28

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 口山崇

IPC: B32B9/00 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供能够在膜基材上形成作为低电阻率透明电极层的透明氧化物层的带有透明电极的基板的制造方法。该带有透明电极的基板的制造方法具备以下的工序：在成膜压力Pu、成膜时的氧分压Pou下通过溅射法形成透明基底氧化物层的透明基底氧化物层形成工序和在成膜压力Pc、成膜时的氧分压Poc下通过溅射法在透明基底氧化物层上形成透明导电性氧化物层的透明导电性氧化物层形成工序，其中，在Pu、Pc、Pou和Poc满足规定式的条件下，将透明基底氧化物层和透明导电性氧化物层制膜，在膜基材上形成包含透明基底氧化物层和透明导电性氧化物层的透明氧化物层。

公开(公告)号：CN115210978A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180017963.0

申请日：2021-03-24

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 口山崇 ,  中村淳一 ,  小泉玄介 ,  中野邦裕

IPC: H02G3/08 ,  H01R13/44 ,  H02G1/14 ,  H02G15/10 ,  H02S40/34 ,  H05K7/00

Abstract: 本发明提供一种在出现了意外的电缆分离的情况下不容易再连接的电缆连接件。本发明的一个形态所涉及的电缆连接件(1)具备：连接部件(23)，供电缆(C1)电连接；壳体(H(10、12、21、22))，保持上述连接部件(23)；以及绝缘机构(M(13、24))，在因张力作用于上述电缆(C1)而导致上述电缆(C1)从上述连接部件(23)分离了的情况下，将上述电缆(C1)与上述连接部件(23)之间绝缘。

公开(公告)号：CN112088436A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980030910.5

申请日：2019-05-08

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 中野邦裕 ,  三岛良太 ,  小西克典 ,  口山崇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0747

Abstract: 包括以下各个工序：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上，形成第一导电型的第一半导体层(13p)的工序；在第一半导体层(13p)上形成剥离层(LF)的工序；选择性地除去剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的工序；在包括剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的一个主面(11S)上，形成第二导电型的第二半导体层(13n)的工序；使用蚀刻溶液除去剥离层(LF)，由此除去覆盖剥离层(LF)的第二半导体层(13n)的工序；以及使用冲洗液清洗晶体基板(11)的工序。蚀刻溶液或冲洗液的相对于剥离层(LF)的接触角比蚀刻溶液或冲洗液的相对于第二半导体层(13n)的接触角小，所述第二半导体层与所述蚀刻溶液或所述冲洗液的接触角在65°以上110°以下。

公开(公告)号：CN111742416A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014438.6

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 中野邦裕 ,  三岛良太 ,  口山崇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0747

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，包含：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上形成p型半导体层(13p)的工序、在p型半导体层(13p)上层叠以氧化物为主成分的剥离层(LF)的工序、选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序，在选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序中，进行使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻，以使从晶体基板(11)的表面垂直方向的一个主面侧观察，p型半导体层(13p)的蚀刻面积小于或等于剥离层(LF)的蚀刻面积。

公开(公告)号：CN111727508A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201980013505.2

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  中野邦裕 ,  口山崇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0747

Abstract: 包括以下各个工序：在包括被选择性地除去的p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的晶体基板(11)的一主面上，形成n型半导体层(13n)的工序；通过除去剥离层(LF)，除去覆盖剥离层(LF)的n型半导体层(13n)的工序；以及分别在p型半导体层(13p)和n型半导体层(13n)上，形成透明电极层(17)的工序。在除去剥离层(LF)的工序中，除去剥离层(LF)，且保证在n型半导体层(13n)被除去的状态下，p型半导体层(13p)的一部分被剥离层(LF)覆盖。