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公开(公告)号：CN101183776B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200710186948.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H05K7/20009 , H05K5/0208 , H05K7/026
Abstract: 一种电连接箱，其包括：电路基板；壳体，将所述电路基板以纵置的姿势收容于内部；多个嵌合凹部，向所述电路基板侧凹陷而设置在所述壳体中与所述电路基板的板面相对的侧壁上，并从外部嵌合电装部件；气体通路，通过相互空开间隔地横排设置所述嵌合凹部而形成在所述壳体内，在所述嵌合凹部间使空气上下流通；进气口，设置在所述壳体上并与所述气体通路相连；排气口，设置在所述壳体上并与所述气体通路相连，且位于所述进气口的上方而设置；和发热部件，位于所述气体通路内而配置。
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公开(公告)号：CN101188351A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710186946.1
申请日：2007-11-15
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种电连接箱，其包括：电路基板；多个导电部件，在所述电路基板上相互隔开间隔而排列设置并在从所述电路基板离开的方向上延伸；壳体，将所述电路基板收容于内部；气体通路，形成在所述壳体内，并可使空气在上下方向上流通；进气口，设置在所述壳体上并与所述气体通路相连；排气口，设置在所述壳体上并与所述气体通路相连，并且设置在所述进气口的上方位置；被冷却部，设置于所述导电部件上，位于所述气体通路内而使空气在所述导电部件之间上下流通；和发热部件，与所述导电部件的所述被冷却部相连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1593073B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN03801539.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/20 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/02
Abstract: 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。
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公开(公告)号：CN1685180A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200380100111.X
申请日：2003-10-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: F24H3/04
CPC classification number: H01L21/67109 , F24H3/0405
Abstract: 提供一种气体加热方法和小尺寸节能气体加热设备，其使用能高速加热气体而不被气体腐蚀的加热器，从而能直接、有效地加热气体。多个板状陶瓷加热器(30)或其中结合了多个陶瓷加热器的加热装置以交错壁架的形式设置在气体的流动通路中或加热室中，以形成Z字形气体流动通路A；供至气体流动通路A的气体由陶瓷加热器(30)或加热装置直接加热。所述气体加热设备(10)可用于处理含NOx的废气或者有害/有毒废气的设备中，以加热废气和它们的稀释气体。
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公开(公告)号：CN1593073A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801539.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/20 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/02
Abstract: 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。
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公开(公告)号：CN1610961A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN03801837.3
申请日：2003-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 一种配置有连接到固定器陶瓷基座的多个固定管状件和/或固定支撑件的晶片固定器，其中可以防止在加热操作期间由于热应力对固定管状件的损坏，并利用此晶片固定器制作获得高可靠性的半导体制作设备。至少两个固定管状件(5)和/或固定支撑件的一端连接到陶瓷基座(2)，而另一端连接进反应室(4)，其中假设陶瓷基座(2)达到的最高温度为T1，陶瓷基座(2)的热膨胀系数为α1，反应室(4)达到的最高温度为T2，反应室(4)的热膨胀系数为α2，在常温下在多个固定管状件(5)中的陶瓷基座(2)上的最长件间距离为L1，而在常温下在多个固定管状件(5)和/或固定支撑件中的反应室(4)上的最长件间距离为L2，则满足关系式|(T1×α1×L1)－(T2×α2×L2)|≤0.7mm。
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公开(公告)号：CN100355020C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03801837.3
申请日：2003-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 本发明公开了一种晶片固定器，其用于对通过管状件和/或支撑件支撑在反应室内的固定器陶瓷基座上的半导体晶片进行保持和加工，其中所述管状件和/或所述支撑件中的至少两个为其中一端连接到陶瓷基座，而另一端固定进反应室的固定管状件和/或固定支撑件，其中假设所述陶瓷基座达到的最高温度为T1，所述陶瓷基座的热膨胀系数为α1，所述反应室达到的最高温度为T2，所述反应室的热膨胀系数为α2，在常温下所述固定管状件和/或所述固定支撑件外侧之间的陶瓷基座上的最长间隔为L1，以及在常温下所述固定管状件和/或固定支撑件外侧之间的所述反应室上的最长间隔为L2，则晶片固定器满足关系式：|(T1×α1×L1)-(T2×α2×L2)|≤0.7mm。
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