公开(公告)号：CN103972246B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410205558.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN103173718B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210562375.8

申请日：2012-12-21

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 前田刚彰 ,  奥野博行

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种作为氧化铝的代替膜有用、且与氧化铝相比，成膜速度高、生产率优异的新技术。本发明的氧化铝薄膜的特征在于，含有Ta。上述氧化铝薄膜优选通过溅射法进行成膜。

公开(公告)号：CN102473732B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080033080.0

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN103493210A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019704.2

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，形成保护膜等时不需要氧化处理层，也能够使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源／漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于，所述氧化物半导体层是Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在源／漏电极及保护膜侧的第1氧化物半导体层、和包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧的第2氧化物半导体层的层叠体，并且所述第1氧化物半导体层和所述源／漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN103493209A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019557.9

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋 ,  宋俊昊 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于：上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN102612859A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080051843.4

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  平野贵之 ,  前田刚彰

IPC: H05B33/26 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5218 ,  C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L51/5271 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

Abstract: 提供一种具有新的Al基合金反射膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，即便使Al反射膜与ITO和IZO等的氧化物导电膜直接接触，也能够确保低接触抵抗和高反射率，而且，作为与氧化物导电膜的层叠结构时，上层氧化物导电膜表面的功函数高达通用的Ag基合金膜和氧化物导电膜的层叠结构的功函数的同程度。一种形成于基板上的有机EL显示器用的反射阳极电极，前述反射阳极电极包括含有Ag为0.1～6原子％的Al基合金膜，和在所述Al基合金膜之上直接接触的氧化物导电膜的层叠结构。