公开(公告)号：CN115274843A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210447265.0

申请日：2022-04-26

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 星真一 ,  长屋正武 ,  笹冈千秋 ,  河口大祐 ,  原佳祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种半导体芯片，包括芯片构成基板(10)，芯片构成基板(10)具有第一表面(10a)和第二表面(10b)，并且包括含有氮化镓的层。芯片构成基板(10)设置有半导体元件，构成半导体元件的部件与位于与第二表面(10b)相邻的区域中相比更多地位于与第一表面(10a)相邻的区域。芯片构成基板(10)形成有从第一表面(10a)到第二表面(10b)贯通芯片构成基板(10)的通孔(20)。通孔(20)限定与第一表面(10a)相邻的第一开口及与第二表面(10b)相邻的第二开口，且第一开口大于第二开口。

公开(公告)号：CN115020207A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210202228.3

申请日：2022-03-03

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  河口大祐

IPC: H01L21/268 ,  H01L23/544

Abstract: 半导体芯片的制造方法，包括：制备GaN晶圆；通过在GaN晶圆的表面上形成外延膜来制造经加工晶圆以具有与经加工晶圆的第一表面相邻的多个芯片形成区域；在每个芯片形成区域中形成半导体元件的第一表面侧元件部件；通过从经加工晶圆的第二表面利用激光束照射经加工晶圆的内部，沿经加工晶圆的平面方向形成晶圆变换层；在晶圆变换层处将经加工晶圆分成芯片形成晶圆和回收晶圆；从芯片形成晶圆取出半导体芯片；以及在制备GaN晶圆后且在划分经加工晶圆前，通过利用激光束照射在氮化镓晶圆或经加工晶圆之一的内部形成标记，该标记由镓的沉积形成。

公开(公告)号：CN114496885A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111245518.8

申请日：2021-10-26

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 长屋正武 ,  熊泽辉显 ,  南云裕司 ,  平田和也 ,  野本朝辉

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。

公开(公告)号：CN113539927A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110389082.3

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 小岛淳 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。