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公开(公告)号：CN102812421B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180010222.6
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J1/18 , G01J1/42 , G01J1/4204 , G06F3/0416 , G06F3/042 , H01L27/14612
Abstract: 显示设备包括：包含与显示元件部分设置在一起的具有用于检测可见光的第一光电二极管的第一光电传感器部分的像素；以及包含与另一显示元件部分设置在一起的具有用于检测红外线的第二光电二极管的第二光电传感器部分的像素。第二光电传感器部分检测外部光中所包括的红外线，并且选择成像元件且根据第二光电传感器部分检测到的红外线的量来调节灵敏度。
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公开(公告)号：CN102792677B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN101527773B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910126193.4
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 田村辉
CPC classification number: G06T5/002 , G06T5/003 , G06T5/50 , G06T7/194 , G06T2207/10016 , G06T2207/20216 , H04N13/122
Abstract: 基于时间上连续的三个帧图像的差值图像，从中央的帧图像中抽出显示移动体的移动体区域和背景区域。对移动体区域的图像进行对比度增强等使图像更清晰的处理。另一方面，对背景区域的图像进行平均化处理等的模糊处理。在该模糊处理中，移动体区域在帧图像中所占的比例越大，越大程度地进行使背景区域的图像模糊的处理。
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公开(公告)号：CN102812421A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180010222.6
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J1/18 , G01J1/42 , G01J1/4204 , G06F3/0416 , G06F3/042 , H01L27/14612
Abstract: 显示设备包括：包含与显示元件部分设置在一起的具有用于检测可见光的第一光电二极管的第一光电传感器部分的像素；以及包含与另一显示元件部分设置在一起的具有用于检测红外线的第二光电二极管的第二光电传感器部分的像素。第二光电传感器部分检测外部光中所包括的红外线，并且选择成像元件且根据第二光电传感器部分检测到的红外线的量来调节灵敏度。
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公开(公告)号：CN102804380A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180013659.5
申请日：2011-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14643 , G02F1/1362 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个目的为通过减小光电传感器中的晶体管的截止状态电流来实现低功耗。一种半导体装置包括：具有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器；以及包括读取控制晶体管的读取控制电路，其中所述光电二极管具有向所述第一晶体管的栅极提供基于入射光的电荷的功能；所述第一晶体管具有存储提供至其栅极的电荷以及将所存储的电荷转换为输出信号的功能；所述第二晶体管具有对所述输出信号的读取进行控制的功能；所述读取控制晶体管用作将所述输出信号转换为电压信号的电阻器；且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管的半导体层使用氧化物半导体来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304661B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510606903.9
申请日：2011-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/14643 , G02F1/1362 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H04N5/378
Abstract: 一种半导体装置。本发明的一个目的为通过减小光电传感器中的晶体管的截止状态电流来实现低功耗。该半导体装置包括：具有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器；以及包括读取控制晶体管的读取控制电路，其中所述光电二极管具有向所述第一晶体管的栅极提供基于入射光的电荷的功能；所述第一晶体管具有存储提供至其栅极的电荷以及将所存储的电荷转换为输出信号的功能；所述第二晶体管具有对所述输出信号的读取进行控制的功能；所述读取控制晶体管用作将所述输出信号转换为电压信号的电阻器；且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管的半导体层使用氧化物半导体来形成。
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公开(公告)号：CN102713999B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080061877.1
申请日：2010-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06F3/042 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的一个目的在于，提供被配置成用户不管位置在哪都可读取数据、通过直接触摸在屏幕上显示的键盘、或者用指示笔等间接触摸该键盘来输入数据、并且使用该输入数据的新颖电子设备。在一个基板上包括电连接到反射电极的第一晶体管、以及光电传感器。在显示部分的第一屏幕区上显示的触摸输入按键被显示为静止图像，并且输出视频信号以使活动图像在显示部分的第二屏幕区上显示。包括在静止图像在显示部分上显示的情况、以及活动图像在显示部分上显示的情况之间供应不同信号的视频信号处理部分。
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公开(公告)号：CN102262486B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110153678.X
申请日：2011-05-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/042 , H01L27/146
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0428 , H01L27/144 , H01L27/14625 , H01L31/0232 , H01L31/02327
Abstract: 本发明的名称为光检测器，抑制外部光的影响。通过包括按照入射光的照度来生成数据信号的光检测器电路和与光检测器电路重叠的光单元的光检测器，第一数据信号由光检测器电路在光单元处于导通状态时生成，第二数据信号由光检测器电路在光单元处于断路状态时形成，以及第一数据信号和第二数据信号经过比较，使得生成作为两个所比较数据信号之间的差的数据的差数据信号。
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公开(公告)号：CN102804380B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180013659.5
申请日：2011-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14643 , G02F1/1362 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个目的为通过减小光电传感器中的晶体管的截止状态电流来实现低功耗。一种半导体装置包括：具有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器；以及包括读取控制晶体管的读取控制电路，其中所述光电二极管具有向所述第一晶体管的栅极提供基于入射光的电荷的功能；所述第一晶体管具有存储提供至其栅极的电荷以及将所存储的电荷转换为输出信号的功能；所述第二晶体管具有对所述输出信号的读取进行控制的功能；所述读取控制晶体管用作将所述输出信号转换为电压信号的电阻器；且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管的半导体层使用氧化物半导体来形成。
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公开(公告)号：CN104979369A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510377722.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/361
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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