公开(公告)号：CN1599040A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410086941.8

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/2026

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。

公开(公告)号：CN1516230A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01137487.X

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；以及通过用连续波激光束照射半导体薄膜使其结晶；其中连续波激光束在半导体薄膜上的照射区域为长宽比大于或等于10的椭圆形；以及其中连续波激光束是固态激光器的二次、三次或四次谐波。