公开(公告)号：CN115211101A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180018074.6

申请日：2021-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  池田隆之 ,  井上广树 ,  根来雄介 ,  山崎舜平

IPC: H04N5/3745 ,  H01L29/786 ,  H04N5/369

Abstract: 提供一种可以进行图像处理的摄像装置。提供一种具备图像识别功能等附加功能的摄像装置。该摄像装置具有排列为矩阵状的单元(像素)取得摄像数据的功能及保持权重数据的功能。排列为矩阵状的单元中的一部分的单元取得摄像数据，其他单元保持权重数据。并且，进行使用摄像数据及权重数据的运算。例如，对所有的摄像数据算出摄像数据与权重数据之积，可以进行总计该算出的积的运算。就是说，可以进行积和运算。通过将运算结果引入卷积神经网络(CNN)等神经网络等，可以对摄像数据进行图像处理，由此可以使用附加功能。

公开(公告)号：CN115136311A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180015588.6

申请日：2021-02-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  井上广树 ,  根来雄介 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 提供一种小型且高功能的摄像装置。本发明是一种摄像装置，包括设置在硅衬底上的光电转换器件以及在设置在该硅衬底上的硅外延生长层中具有沟道形成区域的晶体管。设置在外延生长层中的晶体管的电特性良好，所以可以形成噪声较少的摄像装置。另外，该晶体管可以以具有与光电转换器件重叠的区域的方式形成，所以可以使摄像装置小型化。

公开(公告)号：CN114008784A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080045952.9

申请日：2020-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 根来雄介 ,  米田诚一

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种可以以较少工序制造的高功能的摄像装置。形成在包括Si晶体管的电路上层叠有包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管(以下，称为OS晶体管)的电路的第一叠层体，形成在Si光电二极管上设置有OS晶体管的第二叠层体，将第一叠层体及第二叠层体的设置有OS晶体管的层彼此贴合而得到电路间的电连接。通过采用上述结构，即使使用层叠多个功能不同的电路等的结构也减少抛光工序、贴合工序，而可以提高成品率。

公开(公告)号：CN113924649A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080040844.2

申请日：2020-06-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  根来雄介

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。可以将通过摄像工作取得的模拟数据(图像数据)保持在像素中，在该像素中可以取出将该模拟数据乘以任意权系数而得的数据。通过将该数据导入到神经网络等中，可以进行图像识别等处理。可以将庞大的图像数据以模拟数据状态保持在像素中，因此可以高效地进行处理。