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公开(公告)号：CN101853923B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010150737.3
申请日：2006-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048
Abstract: 本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
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公开(公告)号：CN1885585B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200610094005.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H05B33/22 , Y10S428/917
Abstract: 发光器件包括一对电极和在一对电极之间提供的混合层。混合层包含不含氮原子的有机化合物，即不含有芳胺骨架的有机化合物，和金属氧化物。作为有机化合物，优选使用含有蒽骨架的芳烃。作为这样的芳烃，列举t-BuDNA、DPAnth、DPPA、DNA、DMNA、t-BuDBA等。作为金属氧化物，优选使用氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等。此外，当测量吸收光谱时混合层优选显示每1μm的吸光度是1或更小或在450-650nm的光谱中不显示明显的吸收峰。
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公开(公告)号：CN1797605B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200510118815.0
申请日：2005-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , H01L28/10
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据，并且可以防止因改写的伪造。此外，本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元，并串联连接或并联连接该存储单元，而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。
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公开(公告)号：CN1838447B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200610068250.4
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/1362 , H01L45/00 , H01L51/0054 , H01L51/006
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在低电压下驱动，并且生产性高的非线性元件、具有非线性元件的元件衬底以及具有所述元件衬底的液晶显示器件。本发明的非线性元件的元件结构为，在第一电极和第二电极之间具有由含有无机化合物和有机化合物的复合材料构成的膜。此外，作为用于本发明的含有无机化合物和有机化合物的复合材料，采用在正向偏压和反向偏压的双方向上呈现非线性特性的复合材料。
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公开(公告)号：CN101853923A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010150737.3
申请日：2006-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048
Abstract: 本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1816229B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200510127268.2
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供一种几乎没有因晶化导致的工作不良的发光元件。本发明的一种发光元件包括含有金属氧化物和对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物的层。该层中设有第一区域和第二区域。包含在所述第一区域中的金属氧化物浓度高于所述第二区域中所包含的金属氧化物浓度。而且，所述第一区域和第二区域被交替地提供。所述第一区域和第二区域分别沿所述混合层的厚度方向具有0.1nm至10nm，优选的是1nm至5nm的距离。在此，在上述层中优选包含所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物和所述金属氧化物，并所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物与所述金属氧化物的摩尔比(金属氧化物/第一化合物)在0.1至10的范围内。
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公开(公告)号：CN101203968B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680022551.1
申请日：2006-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048
Abstract: 本发明的一个方面是一种发光元件，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
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公开(公告)号：CN101661998A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910165594.0
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种复合材料，其包含由以下通式(1)表示的有机化合物和无机化合物，在通式(1)中，R 1 -R 24 彼此相同或不同，并且表示氢、烷基、烷氧基、芳基和芳基烷基中的任何一种。一种发光元件包括该复合材料和发光装置，而一种电子器件包括该发光元件。本发明复合材料，相对于有机化合物，具有极好的载流子输送性能和极好的载流子注射性能，以及具有高可见光透射率。通过利用该复合材料，获得了一种需要低激励电压和具有极好的发光效率的电流激发型发光元件。通过使用该发光元件，提供了一种消耗低能量的发光装置和一种包括该发光装置的电子器件。
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公开(公告)号：CN100539244C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200680006364.4
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种复合材料，其包含由以下通式(1)表示的有机化合物和无机化合物，其中，在通式(1)中，R1-R24彼此相同或不同，并且表示氢、烷基、烷氧基、芳基和芳基烷基中的任何一种。一种发光元件包括该复合材料和发光装置，而一种电子器件包括该发光元件。本发明复合材料，相对于有机化合物，具有极好的载流子输送性能和极好的载流子注射性能，以及具有高可见光透射率。通过利用该复合材料，获得了一种需要低激励电压和具有极好的发光效率的电流激发型发光元件。通过使用该发光元件，提供了一种消耗低能量的发光装置和一种包括该发光装置的电子器件。
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公开(公告)号：CN116845068A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310762325.2
申请日：2017-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第一衬底上的第一树脂层、第一树脂层上的像素部及端子部、端子部上的第二树脂层、以及第二树脂层上的第二衬底，其中，像素部包括晶体管及与晶体管电连接的显示元件，端子部包括导电层，第一树脂层包括开口部，导电层包括从第一树脂层中的开口部露出的第一区域，第二树脂层包括与第一区域重叠的区域，导电层为与晶体管的源极及漏极和晶体管的栅极中的至少一个相同的层。
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