公开(公告)号：CN101562155B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200910132821.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小森茂树 ,  小松立

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  H01L27/15 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3262 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明名称为发光装置及其制造方法。所公开的发明的薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜及第二导电膜(薄膜叠层体)；通过第一蚀刻使所述第一导电膜露出并至少形成所述薄膜叠层体的图案；通过第二蚀刻形成第一导电膜的图案。其中，以第一导电膜受到侧面蚀刻的条件进行所述第二蚀刻。另外，可以在形成上述图案之后，利用起因于图案的凹凸选择性地形成EL层。

公开(公告)号：CN103383991A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310144457.5

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 千田章裕 ,  波多野薰 ,  青山智哉 ,  小松立 ,  片庭正敏

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/77 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的课题是提供一种在发光装置中，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出的方法。在输入来自外部电源的电力或外部信号的电极端子的区域上形成岛状的包含有机化合物的层，并且在其上部形成有机膜。通过利用包含有机化合物的层与电极端子之间的界面处的贴紧性较低的性质去除有机膜，可以不损伤电极端子而使其露出。

公开(公告)号：CN101884112B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880118999.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  小松立

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。