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公开(公告)号：CN117836913A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056432.7
申请日：2022-08-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/308 , C07D215/30 , C07D215/36 , C07D235/18 , C07D241/42 , C07D213/30 , C07F5/06 , H01L21/306 , H10K10/46 , H05B33/10 , H10K50/10 , H10K71/20
Abstract: 在包括在有机半导体层上以与该有机半导体层接触的方式形成氧化铝膜的工序的有机半导体器件中，抑制高电压化。在有机半导体层与氧化铝膜之间设置包含由下述通式(G1)表示的有机半导体层的掩模用有机金属化合物的层。注意，在通式(G1)中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，X表示氧或硫，M表示金属，n表示1至5的整数，金属M的化合价与n相同。注意，在n为2以上的情况下，多个Ar可以相同或不同，X可以相同或不同。在Ar为取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基的情况下，杂芳基的杂原子也可以与金属M配位键合。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116969951A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310431227.0
申请日：2023-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D487/04 , C07D519/00 , H10K50/10 , H10K50/17 , H10K85/60
Abstract: 提供一种具有电子注入性且对于水的溶解度低的有机化合物以及发光器件、发光装置及电子设备。提供一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。注意，在由下述通式(G1)表示的有机化合物中，Ar表示成环碳原子数为6至30的芳烃基或者成环碳原子数为2至30的杂芳烃基，R1及R2分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至6的烷基、氨基、碳原子数为6至13的芳基或者碳原子数为2至13的杂芳基，n表示1至6的整数，L为由上述通式(L‑1)表示的基。另外，在上述通式(L‑1)中，R3及R4分别独立地表示氢(包括氘)或碳原子数为1至6的烷基，k表示1至5的整数，在k为2以上时，R3及R4分别可以相同或不同。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116896918A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310356852.3
申请日：2023-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高清晰且可靠性良好的有机半导体器件。该有机半导体器件是形成在绝缘层上的多个发光器件中的一个，包括第一电极、第二电极及有机化合物层，上述有机化合物层位于第一电极与第二电极之间，上述有机化合物层包括包含第一化合物的层，上述第一化合物为在差示扫描热量测定中在从通过第一加热而熔化的状態进行冷却并继续第二加热时在上述冷却过程中观察不到发热峰且在上述第二加热过程中观察不到发热峰及熔点峰的物质。
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公开(公告)号：CN116889120A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280014543.1
申请日：2022-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种利用光刻法制造的高清晰且特性良好的发光器件。提供一种发光装置，在相邻的第一发光器件和第二发光器件中，所述第一发光器件包括第一EL层，所述第二发光器件包括第二EL层，所述第一EL层至少包括第一发光层和第一电子传输层，所述第二EL层至少包括第二发光层和第二电子传输层，所述第一电子传输层包含第一杂芳族化合物和第一有机化合物，所述第二电子传输层包含第二杂芳族化合物和第二有机化合物，所述第一发光层与所述第一电子传输层的端部一致，所述第二发光层与所述第二电子传输层的端部大致一致，并且，相对的所述第一发光器件与所述第二发光器件的间隔为2μm至5μm。
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公开(公告)号：CN116830804A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280013952.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件，在第一电极上隔着第一EL层包括第二电极，其中，第一EL层至少包括第一发光层，在第一EL层上包括第二EL层，第二EL层至少包括第二发光层、第一电子传输层以及第二电子传输层，在第二发光层上包括第一电子传输层，以与第一发光层的侧面、第二发光层的侧面及第一电子传输层的侧面接触的方式包括绝缘层，在第一电子传输层上包括第二电子传输层，绝缘层位于第一发光层的侧面、第二发光层的侧面及第一电子传输层的侧面与第二电子传输层之间，并且，第一电子传输层包含具有至少一个杂芳环的杂芳族化合物以及与杂芳族化合物不同的有机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115701264A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210835931.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种耐热性优良的发光器件及发光装置。该发光器件包括阳极、阴极、位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，其中所述EL层包括发光层及第一层，所述第一层位于所述发光层与所述阴极之间，所述发光层与所述第一层接触，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及发光物质，所述第一层包含第三有机化合物，所述第一有机化合物及所述第三有机化合物各自为具有电子传输性的物质，所述第二有机化合物为具有空穴传输性的有机化合物，所述发光物质为呈现红色发光的物质，所述第一有机化合物为由下述通式(G100)表示的有机化合物，并且所述第三有机化合物为由下述通式(G300)表示的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115548239A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210756566.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在制造工艺中耐热性高的发光器件以及一种发光装置。发光器件包括阳极与阴极之间的EL层，EL层至少包括发光层及电子传输层，电子传输层包括与发光层接触的第一电子传输层及与上述第一电子传输层接触的第二电子传输层，第一电子传输层包含至少具有一个杂芳环的第一杂芳族化合物，第二电子传输层包含至少具有一个杂芳环且包含与第一杂芳族化合物不同的第二杂芳族化合物，第一杂芳族化合物在粉末状态下的晶化温度(Tpc)与在薄膜状态下的晶化温度(Ttc)的温度差为20℃以内，第二杂芳族化合物在粉末状态下的晶化温度(Tpc)与在薄膜状态下的晶化温度(Ttc)的差为100℃以内。
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公开(公告)号：CN112673013A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980050982.6
申请日：2019-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种新颖有机金属配合物。此外，本发明的一个方式提供一种具有高量子产率的新颖有机金属配合物。一种配体包含1H‑萘并[1，2‑d]咪唑骨架并具有由下述通式(G‑1)表示的结构的Ir配合物。在1H‑萘并[1，2‑d]咪唑骨架所包括的N中，不键合于Ir的N与取代或未取代的芳基键合。在通式(G‑1)中，R1至R10分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至7的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或吸电子基团，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基。
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公开(公告)号：CN118440083A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410118303.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有电子注入性对水的溶解性低的有机化合物、发光器件、显示装置及电子设备。提供一种由通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，Ar是由通式(Ar‑1)表示的芳香族骨架，L表示亚烷基或亚芳基，n表示0至3的整数，m表示1至4的整数，R1至R12分别独立地表示氢或烷基。在通式(Ar‑1)中，环A、环B、环C及环D分别独立地表示苯环、萘环或菲环，并且环A、环B、环C及环D上的任意m个碳原子具有通式(G1)中的键，X1表示C、Si或Ge，α1表示单键、O、S、具有取代基的C、具有取代基的Si或具有取代基的Ge。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118255770A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311790110.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D487/04 , H10K50/17 , H10K85/10 , H10K85/60
Abstract: 提供一种具有电子注入性并且对水的溶解度低的有机化合物。提供一种发光器件、发光装置及电子设备。提供一种由通式(G1)所示的有机化合物。X为由下述通式(X‑1)所示的基，Y为由下述通式(Y‑1)所示的基。Ar表示成环碳原子数为2至30的杂芳烃基或成环碳原子数为6至30的芳烃基，R1及R2分别独立地表示氢或碳原子数为1至6的烷基，h表示1至6的整数。在通式(X‑1)及(Y‑1)中，R3至R6分别独立地表示氢或碳原子数为1至6的烷基，m表示0至4的整数，在m为0、1、3或4时，n表示1至5的整数，在m为2时，n表示1、2、4或5。在m或n为2以上的情况下，多个R3既可以彼此相同也可以彼此不同，R4、R5及R6也是同样的。#imgabs0#
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