公开(公告)号：CN102790095B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210158073.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN102790095A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210158073.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN102760697A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210114763.X

申请日：2012-04-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  佐藤裕平 ,  岡崎豊 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/383 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。

公开(公告)号：CN102683197A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210060002.0

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  丸山哲纪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的晶体管的制造工序中，在氧化硅膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。