半导体装置
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103779426B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410046438.3

    申请日:2010-12-24

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置,包括:氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极;与所述氧化物半导体层重叠的栅电极;以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层,其中,所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

    正极活性物质的制造方法及二次电池

    公开(公告)号:CN110337744B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN201880011201.8

    申请日:2018-06-14

    Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如,与现有的正极活性物质相比,在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质,优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子,然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。

    正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池

    公开(公告)号:CN116799197A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310815723.6

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明提供一种正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

    锂离子二次电池
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116565296A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310769198.9

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

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