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公开(公告)号:CN103779426B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201410046438.3
申请日:2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置,包括:氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极;与所述氧化物半导体层重叠的栅电极;以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层,其中,所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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公开(公告)号:CN106030872A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201480064528.3
申请日:2014-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/505 , C01G45/1228 , C01G53/50 , C01P2002/80 , C01P2002/85 , C01P2002/89 , C01P2004/04 , H01M4/366 , H01M4/525 , H01M4/5825
Abstract: 增大能够嵌入正极活性物质且从正极活性物质脱嵌的锂离子量,来实现二次电池的高容量及高能量密度。锂锰氧化物粒子包括第一区域及第二区域。第一区域中的锰的化合价比第二区域的锰的化合价低。锂锰氧化物具有结构的高稳定性及高容量特性。
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公开(公告)号:CN119920859A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202411496686.8
申请日:2024-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 提供一种相转变得到抑制的正极活性物质以及包含该正极活性物质的二次电池。本发明开发了一种前所未有的合成方法:将MgF2‑LiF的熔盐用作反应促进剂对钴酸锂粒子进行处理,在使镁向钴酸锂块体的扩散及掺杂变容易的同时在粒子表层部形成稳定的覆盖层。通过ex situ XRD分析确认到,在将改良的LiCoO2充电至4.7V时,有害的相转变得到抑制并且出现新的相。改良的LiCoO2在高电压工作中呈现良好的电化学性能。该技术为抑制伴随相转变的基本劣化而实现超高能量密度的LiCoO2正极提供了指导方针。
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公开(公告)号:CN119404337A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202380047366.1
申请日:2023-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种充放电循环下的放电容量的下降得到抑制的正极活性物质。正极活性物质包含钴、镍及氧,其中,钴和镍的总和中镍所占的比例Ni/(Co+Ni)大于0.175且为0.215以下,上述正极活性物质当在充电到4.5V(vs.Li/Li+)的状态下利用使用CuKα1线的X射线粉末衍射进行分析时在2θ=18.526±0.1°、2θ=37.391±0.1°、2θ=37.628±0.1°、2θ=39.015±0.1°、2θ=44.947±0.1°、2θ=49.029±0.1°和2θ=58.857±0.1°中的至少两个以上处具有衍射峰。
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公开(公告)号:CN119330419A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411476162.2
申请日:2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G53/42 , H01M4/525 , H01M10/0525 , C01G51/42
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法,包括如下步骤:在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物;以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是,氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
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公开(公告)号:CN113646265B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202080026420.0
申请日:2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法,包括如下步骤:在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物;以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是,氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
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公开(公告)号:CN110337744B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN201880011201.8
申请日:2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如,与现有的正极活性物质相比,在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质,优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子,然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。
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公开(公告)号:CN116799197A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310815723.6
申请日:2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
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公开(公告)号:CN116565296A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310769198.9
申请日:2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/36
Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
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公开(公告)号:CN116454360A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202310122746.9
申请日:2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/131
Abstract: 本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
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