公开(公告)号：CN105684170B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201480042506.7

申请日：2014-08-08

Applicant: 株式会社光波 ,  株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 猪股大介 ,  佐野广明 ,  吉田清太郎 ,  青木和夫 ,  岛村清史 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64

Abstract: 提供一种利用了远程荧光体的发光装置，该发光装置适于如投影仪这样的需要高亮度且大光量的照明器具，使用时发光强度的下降、发光色的变化小。作为一实施方式，提供发光装置(10)，该发光装置(10)具有：LED元件(12)；侧壁(13)，其包围LED元件(12)；荧光体层(15)，其通过粘合层(14)固定于侧壁(13)，位于LED元件(12)的上方；以及金属衬垫(11)，其作为散热部件。侧壁(13)具有：绝缘性的基体(13b)，其包围LED元件(12)；以及金属层(13a)，其形成于基体(13b)的LED元件(12)侧的侧面并与金属衬垫(11)和粘合层(14)接触。粘合层(14)是由含有粒子的树脂构成且粒子的导热率比树脂的导热率高的树脂层，或者是由焊料构成的层。

公开(公告)号：CN105658764A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057864.5

申请日：2014-10-20

Applicant: 株式会社光波 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 猪股大介 ,  青木和夫 ,  岛村清史 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/7774 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 作为目的之一，提供即使在高温条件下也发挥优异特性的单晶荧光体以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.0002≤z≤0.0067，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶荧光体。

公开(公告)号：CN100461475C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。

公开(公告)号：CN100394549C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200480022689.2

申请日：2004-08-04

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β-Ga2O3单晶组成的β-Ga2O3衬底(1)、通过氮化β-Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。

公开(公告)号：CN1833310A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022689.2

申请日：2004-08-04

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β－Ga2O3单晶组成的β－Ga2O3衬底(1)、通过氮化β－Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。