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公开(公告)号：CN104240722A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310461793.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/29 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B5/4886 , G11B5/4976
Abstract: 本发明难以因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量变化。根据实施方式，一种磁头，具备：第一再现元件；第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
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公开(公告)号：CN100411217C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410077156.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01L43/08
Abstract: 利用电流垂直平面(CPP)系统的双自旋阀类型的磁电阻效应元件，其中传感电流的流向与多个导电层的堆叠面垂直，该磁电阻效应元件包括包含自由层(5)和第一个钉扎层(7)的第一单元(U1)、包含与第一单元共享的自由层(5)和第二钉扎层(3)的第二单元(U2)、在第一单元(U1)中提供并限制传感电流的流量的第一电流控制层(9)、在第二单元(U2)中提供并限制传感电流的流量的第二电流控制层(8)。
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公开(公告)号：CN1801332A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124691.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN1746980A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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