公开(公告)号：CN100347816C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200510008834.8

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  河村大辅 ,  三本木省次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70433

Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。

公开(公告)号：CN101063827A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710096417.2

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。