公开(公告)号：CN1224910A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN98127137.5

申请日：1998-12-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  关经世 ,  大岛岩 ,  本间三孝 ,  染井宏通 ,  内山工美 ,  丹羽芳充 ,  渡边宪治

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H33/6644 ,  H01H33/185

Abstract: 本发明披露了一种用于通断电路的真空断路器的电极结构,包括:一对触头部件,用于通过使触头沿着预定方向彼此相对运动而使触头相互接触和分开;一对导电杆,分别和所述一对触头部件相连,用于对触头部件提供导电通路;以及具有磁本体的磁化装置,用于在触头部件之间产生平行于预定方向的磁场,所述磁本体由铁合金构成,所述铁合金包括按重量计算0.02到1.5%的碳和铁。铁合金还包括至少锰和硅之一。

公开(公告)号：CN1166232A

公开(公告)日：1997-11-26

申请号：CN96191162.X

申请日：1996-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边宪治 ,  内山工美 ,  影长宜贤 ,  佐藤纯一 ,  金子英治 ,  本间三孝 ,  染井宏道

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H33/6644 ,  H01H1/0206 ,  H01H33/185 ,  H01H33/6645

Abstract: 本发明公开了一种真空阀，在其电极中心外加磁通密度Bct，该磁通密度在轴向磁通密度Bcr的0.75～0.9倍的范围内，该轴向磁通密度Bcr是相对于各断路电流在电极间的电弧电压为最低时的轴向磁通密度。并且，从电极中心向电极外周部使轴向磁通密度单调增加。在这里，外加产生最低电弧电压Vmin的轴向磁通密度Bcr的半径位置在电极半径20～40％的范围内。轴向磁通密度从该范围更向外部走时进一步单调增加，在电极半径的70％以上的外面的区域取得极大值Bp。该极大值Bp在电极中心磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。另外，在电极外周区域轴向磁通密度为最大的半径位置处的轴向磁通密度在电极圆周方向的分布呈凹凸变化。该在圆周方向的轴向磁通密度在全周内至少呈现2个峰值地进行分布。在这里，圆周方向的磁通密度分布的最大值Bmax与最小值Bmin在电极中心部的轴向磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。