公开(公告)号：CN100380696C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510064010.2

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中明 ,  小野村正明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L33/02

Abstract: 提供一种半导体发光元件，包括：形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层；形成于第1覆盖层上的有源层；形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层；形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层；以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。

公开(公告)号：CN1949606A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610142391.6

申请日：2006-10-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松山隆之 ,  小野村正明

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，其特征在于：具备氮化镓衬底和在上述氮化镓衬底上设置的包含发光层的氮化物半导体的多层膜，上述氮化镓衬底和上述多层膜分别构成由同一劈开面形成的激光出射侧端面和由同一劈开面形成的激光反射侧端面，在上述激光出射侧端面上设置了包含第1氮化硅层的第1膜，在上述激光反射侧端面上设置了包含第2氮化硅层和交替地层叠在上述第2氮化硅层上设置的氧化物层与氮化硅层的层叠膜的第2膜。

公开(公告)号：CN1921147A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115099.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤渉 ,  小野村正明

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：层叠体，具有由氮化物半导体构成的第1半导体层，和设在所述第1半导体层之上、由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；控制电极，设在所述层叠体的主面上的第1区域内；第1以及第2主电极，分别设在所述层叠体的主面上的与所述第1区域的两端相邻的第2以及第3区域内；以及第3主电极，在所述层叠体的主面上夹着所述第2主电极而设在与所述控制电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN1681138A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510064010.2

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中明 ,  小野村正明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L33/02

Abstract: 提供一种半导体发光元件，包括：形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层；形成于第1覆盖层上的有源层；形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层；形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层；以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。