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公开(公告)号：CN114188425A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111491980.6
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光探测器件的制备方法，将生长于基底表面的磷化亚铜二维薄膜安放于热蒸发蒸镀仪器的样品座上，通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极；通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极，具体为：首先抽真空，当腔体真空度低于10pa时，将衬底加热至150℃～350℃；待真空计示数低于4.0×10‑3Pa时，开始蒸镀银薄膜；通过调节蒸发电流来控制蒸发速率，蒸发速率调节于1.8‑2.2A/s；当薄膜厚度增长至200～500纳米时，停止蒸镀，待其冷却至室温时，获得器件。本发明通过磷化亚铜与金属材料结合，形成肖特基二极管，制备该二极管所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光与近红外光光效应速率较好。
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公开(公告)号：CN113388392A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110593627.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种荧光材料的制备方法，本发明采用次磷酸钠作为磷源，表面生长有氧化铜的铜箔作为铜源，通过在惰性气氛中加热，铜被磷化生成磷化亚铜，氧化铜生成氧化亚铜，获得氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料。本发明以铜箔表面生长的氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料，后经退火处理，获得高结晶质量磷化亚铜，磷化亚铜与氧化亚铜晶界缺陷少。复合材料制备方法简单，成本低，所制备复合材料，发光峰位于红光与近红外光的交界处，荧光峰中心位置750nm，半高宽70nm，单色性较好好，光致发光效率较高。
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公开(公告)号：CN112941466A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110122717.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，现有技术中贵金属元素掺杂后，可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯，h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂，通过气相法在基底上制备出金掺杂h‑BN薄膜，厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h‑BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。
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公开(公告)号：CN112795898A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011590101.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法；本发明将WS2固体粉末放在石英舟中，基底放在石英舟载气气流下游方向，距离石英舟水平距离20cm；将硼氨烷放在石英试管中，并位于石英管载气上游端，将石英舟和石英试管加热保温一段时间后，冷却得到硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜。本专利采用硫化钨(WS2)固体粉末作为硫化钨薄膜生长的前驱物，硼氨烷作为掺杂元素硼(B)、氮(N)的前驱物，通过化学气相沉积法(CVD)合成B，N共掺杂的大面积、连续二硫化钨薄膜，对于研究硫化钨的共掺杂、改善硫化钨的电学性能、催化性能、抗菌性能是有益的。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112838138B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011632158.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H10N30/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性触敏元件及制备方法，本发明在两金属电极之间填充由掺杂GaInAsSb和PDMS形成的复合材料；本发明触摸情况下，复合材料电阻发生变化，实现对触摸行为的感知，可用于柔性电子皮肤领域。掺杂GaInAsSb是窄禁带半导体材料，可实现人体发射红外光的探测。PDMS为带孔隙能够透气透湿的柔性有机硅材料。掺杂GaInAsSb粉末分散于PDMS中形成的复合材料，具有柔性的特点。在人体外压情况下，掺杂GaInAsSb粉末的接触程度发生变化引起复合材料阻值的变换，同时外压处人体辐射的红外光激发掺杂GaInAsSb产生光电导效应，引起复合材料的电阻的改变，由此，复合材料完成对触摸的感知。
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公开(公告)号：CN112941466B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110122717.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，现有技术中贵金属元素掺杂后，可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯，h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂，通过气相法在基底上制备出金掺杂h‑BN薄膜，厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h‑BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。
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公开(公告)号：CN113285005B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110593629.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外发光器件的制备方法，本发明将近红外荧光材料涂覆到能发射短波长光的电致发光二极管(LED)表面，制备了近红外发射器件；所述的近红外荧光材料为核壳结构的磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料。在短波长光LED的激发下，能够发射近红外光。本发明制备的器件发射波长为750nm附近的近红外光；器件结构简单，制备方法简便。
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公开(公告)号：CN113136641B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110275151.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
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