公开(公告)号：CN108183136B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201711478511.4

申请日：2017-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张强 ,  张忠海 ,  林弥 ,  吕伟锋 ,  白建玲

IPC: H01L29/88

Abstract: 本发明涉及一种新型电压域振荡二极管。本发明包括初始上表面为镓面GaN基底、n+‑qInGaN集电区层、i‑InGaN第一隔离层、i‑InGaN第一势垒层、i‑InGaN量子阱层、i‑GaN第二势垒层、i‑InGaN第二隔离层、n+‑InGaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚和发射区金属电极引脚。本发明采用GaN基双势垒单量子阱超晶格结构的势垒层极化电场削弱外加电场作用，有效抑制低偏置电压区域带内共振隧穿；利用紧邻集电极势垒的集电区耗尽层作为集电极势垒的辅助势垒，伏安特性在较高偏压区表现为多协调制电流振荡各能级对应电子波函数的共振隧穿与叠加，形成很多个微分负阻区与正电阻区相间排列。

公开(公告)号：CN107292026A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710473732.6

申请日：2017-06-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕伟锋 ,  王光义 ,  林弥 ,  孙玲玲

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5045

Abstract: 本发明公开了一种工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法，该方法包括5个具体相互联系又逐步深入的步骤：先利用HSPICE的蒙特卡罗仿真，提取器件性能参数的样本数据，利用HSPICE Toolbox直接导入样本数据至MATLAB中，利用统计工具箱拟合统计分布，最后通过卡方检验等验证统计分布的正确性。本发明提供了一种在CMOS器件设计早期快速精确地估计实际器件和电路的制造性能变化标准差和统计分布的方法。