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公开(公告)号：CN108346437B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325 , G11B5/731 , G11B5/70605 , G11B5/725 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108242244A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711336207.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/851 , G11B11/10589 , G11B5/70605 , G11B5/70626 , G11B5/725 , G11B5/73 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以W为主成分的材料和氮化物并且所述氮化物的含量在1mol％～80mol％的范围内的结晶质层。所述氮化物包括从Al、B、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo及W组成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。
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公开(公告)号：CN107527633A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710439941.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/82
CPC classification number: G11B5/1875 , G11B5/398 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/706 , G11B5/70615 , G11B5/716 , G11B5/73 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110634510B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910543355.8
申请日：2019-06-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、包含具有L10型晶体结构的合金的磁性层、及保护层，在所述磁性层和所述保护层之间还具有钉扎层，所述钉扎层包含具有Co的磁性材料和从由Cu、Ag、Au、及Al组成的组中选出的1种以上的金属。
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公开(公告)号：CN111916114A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010376998.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/667
Abstract: 提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。
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公开(公告)号：CN110660414A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910560274.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
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公开(公告)号：CN110634510A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910543355.8
申请日：2019-06-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、包含具有L10型晶体结构的合金的磁性层、及保护层，在所述磁性层和所述保护层之间还具有钉扎层，所述钉扎层包含具有Co的磁性材料和从由Cu、Ag、Au、及Al组成的组中选出的1种以上的金属。
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公开(公告)号：CN108461094B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
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