公开(公告)号：CN1993837A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580025689.2

申请日：2005-07-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  村木典孝 ,  渡边宗隆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于面朝上型芯片中的透明正电极，该芯片即使用低驱动电压也可发射强光。本发明的用于半导体发光器件的正电极包括：形成在半导体层上的透明电极和形成在所述透明电极上的接合衬垫电极，其中所述接合衬垫电极具有至少与所述透明电极接触的反射层。

公开(公告)号：CN203218312U

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201220483379.2

申请日：2012-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 粟饭原范行 ,  村木典孝

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/36

Abstract: 本实用新型提供以均匀膜厚形成保护膜和电极膜，保证稳定而高辉度的发光，防止侧面的劣化，谋求高可靠性和长寿命化的发光二极管。本实用新型的发光二极管，支持结构部含有反射层的一部分，其侧面通过湿式蚀刻而形成，含有倾斜部，含有倾斜部的水平方向的截面积朝向上表面连续变小地形成，台面型结构部，其倾斜侧面通过湿式蚀刻而形成，水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖上表面、倾斜部、倾斜侧面和顶面的周边区域，并且在周边区域的内侧具有将半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是与从通电窗露出的表面直接接触并且覆盖在上表面上形成的保护膜，并具有光射出孔的连续膜。