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公开(公告)号：CN102067249B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980122101.3
申请日：2009-06-11
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种R-T-Cu-Mn-B系烧结磁铁，包括：R：12.0原子％以上、15.0原子％以下，在此，R是含有Y的稀土元素，R中的50原子％以上是Pr和/或Nd；B：5.5原子％以上、6.5原子％以下；Cu：0.08原子％以上、0.35原子％以下；Mn：0.04原子％以上、不足0.2原子％；M：2原子％以下(包括0原子％)，在此，M是Al、Ti、V、Cr、Ni、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Au、Pb、Bi中的1种或2种以上；T：剩余部分，在此，T是Fe或者Fe和Co，在T是Fe和Co的情况下，Co为T的20原子％以下。
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公开(公告)号：CN101981634A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111185.0
申请日：2009-03-30
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C22C38/16 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/0278 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C2202/02 , H01F1/0571 , H01F1/0573 , H01F1/0577 , H01F41/0273 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2202/05
Abstract: 本发明的R-T-B系烧结磁体具有R：27.3质量％以上29.5质量％以下、B：0.92质量％以上1质量％以下、Cu：0.05质量％以上0.3质量％以下、M：0.02质量％以上0.5质量％以下、T：剩余部分、氧含量0.02质量％以上0.2质量％以下的组成。烧结磁体的主相是R2T14B型化合物，主相的结晶粒径以相当于圆的直径计为8μm以下，并且4μm以下的结晶颗粒所占的面积率为主相整体的80％以上。
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公开(公告)号：CN113451032A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110319000.8
申请日：2021-03-25
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有33～69质量％R1、0.2～0.8质量％B、0.8～3.0质量％Cu、1.8～10质量％Ga、15～60质量％T的添加合金粉末的工序；准备含有28.5～33.0质量％R、0.80～1.0质量％B、0.1～0.4质量％Ga、64～70质量％T的主合金粉末的工序；准备混合合金粉末的工序；向粉碎室充满不活泼气体的喷射磨装置供给混合合金粉末进行粉碎得到微粉末的工序；制作微粉末烧结体的工序。添加合金粉末的Pr含量大于主合金粉末的Pr含量，不活泼气体经加湿，烧结磁体中氧含量为1000ppm以上3000ppm以下，满足[T]/55.85＞14×[B]/10.8。
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公开(公告)号：CN108701517B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201780013630.4
申请日：2017-03-10
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R‑T‑B系烧结磁体含有R：28.5～33.0质量％(R为稀土元素中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种)、B：0.850～0.910质量％、Ga：0.2～0.7质量％、Cu：0.05～0.50质量％和Al：0.05～0.50质量％，余量为T(T为Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)和不可避免的杂质，且满足：式(1)(14[B]/10.8＜[T]/55.85([B]是用质量％表示的B的含量，[T]是用质量％表示的T的含量))，所述R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括如下工序：准备粒径D50和粒径D99满足式(2)(3.8μm≤D50≤5.5μm)和式(3)(D99≤10μm)的合金粉末的工序；将上述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将上述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及，对上述烧结体实施热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN108389674A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810104048.5
申请日：2018-02-01
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明的课题是提供一种尽可能地不使用Dy等RH(即，尽可能地降低RH的使用量)、且具有高Br和高HcJ的R-T-B系烧结磁铁。一种R-T-B系烧结磁铁，以质量％计，包含：R：27.5％以上、34.0％以下(R为稀土类元素中的至少一种，必须包含Nd和Pr中的至少一个)、B：0.85％以上、0.93％以下、Ga：0.20％以上、0.75％以下、Sn：0.05％以上、0.60％以下、Cu：0.05％以上、0.70％以下、Al：0.05％以上、0.40％以下、和T：61.5％以上(T为Fe和Co，以质量比计，T的90％以上为Fe)，并且满足下述式(1)～(4)，0＜[T]-72.3×[B] (1)；0.2≤[Cu]/([Ga]+[Cu])≤0.5 (2)；0.5≤[Ga]/[Sn] (3)；0.25≤[Ga]+[Sn]≤0.80 (4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710351A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036852.3
申请日：2016-06-17
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，其含有R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M(M为Nb和/或Zr)：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，满足下述式(1)、(2)和(3)。[T]-72.3([B]-0.45[Ti])＞0 (1)，([T]-72.3([B]-0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，[Ga]≥[Cu] (3)。
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公开(公告)号：CN106716571A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049440.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/08 , B22F3/24 , B22F2999/00 , C21D6/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/06 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F41/02 , C22C2202/02
Abstract: 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)烧结成形体，准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材含有：27.5质量％以上且34.0质量％以下的R、0.85质量％以上且0.93质量％以下的B、0.20质量％以上且0.70质量％以下的Ga、多于0.2质量％且0.50质量％以下的Cu、0.05质量％以上且0.5质量％以下的Al、和0质量％以上且0.1质量％以下的M，余量是T和不可避免的杂质，并满足式(1)和(2)；2)高温热处理工序，其是将R－T－B系烧结磁体原材，加热至730℃以上且1020℃以下的温度后，以5℃/分钟以上冷却至300℃的工序；3)低温热处理工序，其是将高温热处理工序后的R－T－B系烧结磁体原材加热至440℃以上且550℃以下的温度的工序。[T]－72.3[B]＞0(1)，([T]－72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，(还有，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)。
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公开(公告)号：CN104040654B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380004680.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/02 , B22F3/24 , B22F9/04 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057 , H01F1/08
CPC classification number: H01F1/0536 , B22F3/003 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F9/023 , B22F2003/248 , B22F2207/01 , B22F2207/20 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F7/02 , H01F41/0293
Abstract: 本发明的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括：准备R‑T‑B系烧结磁石体的工序，上述R‑T‑B系烧结磁石体由稀土元素的含量定义的R量为31质量％以上、37质量％以下；准备RH扩散源的工序，上述RH扩散源含有重稀土元素RH和30质量％以上、80质量％以下的Fe，重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少一种；使上述烧结磁石体和上述RH扩散源能够相对移动并且能够接近或者接触地装入处理室内的工序；和一边使上述烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续或者间断地移动，一边将上述烧结磁石体和上述RH扩散源加热到700℃以上、1000℃以下的处理温度的RH扩散工序。
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公开(公告)号：CN105190793A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480017376.1
申请日：2014-03-27
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0557 , B22F7/008 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F7/02
Abstract: 为了解决B浓度降低所导致的Br大幅降低、以及HcJ不能充分满足近年来的要求的问题，本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R-T-B系烧结磁体。该R-T-B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，在R-T-B系烧结磁体中存在有厚度为5nm以上且30nm以下的所述第一晶界。
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