公开(公告)号：CN100453712C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410057049.7

申请日：2004-08-25

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明是关于具有较低位错密度并且表面的载流子浓度分布基本上均匀的III-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法。本发明提供了位错密度低并且具有足够厚度的载流子浓度偏差范围较小的表面层的III-V族氮化物系半导体自支撑衬底及其制造方法。该半导体衬底是由在与衬底表面大致垂直的方向上存在许多载流子浓度与周围不同的区域的第一层和从表面到至少10μm深度的第二层构成，在第二层中基本上没有形成上述载流子浓度不同的区域，因而载流子浓度分布基本上是均匀的。

公开(公告)号：CN101217110A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001918.2

申请日：2003-07-01

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE－GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE－GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。

公开(公告)号：CN100372063C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03815842.6

申请日：2003-07-01

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的III族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE-GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE-GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。

公开(公告)号：CN100341116C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03815296.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  大岛祐一 ,  江利健 ,  碓井彰 ,  砂川晴夫

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C30B29/16 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及用于生长半导体等、特别是Ⅲ族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90%的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50%以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。

公开(公告)号：CN1249780C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02107886.6

申请日：2002-03-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 在初始衬底上沉积金属膜，初始衬底可以是单晶蓝宝石衬底、带有生长在蓝宝石衬底上的单晶GaN膜的衬底或单晶半导体衬底中的任何一种。然后在金属膜上沉积GaN膜以形成层状衬底。由于采用了以上这种结构，在生长了GaN膜之后，GaN膜可以很容易地和初始衬底分开，并且，能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体衬底。

公开(公告)号：CN1590600A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057049.7

申请日：2004-08-25

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明是关于具有较低位错密度并且表面的载流子浓度分布基本上均匀的III－V族氮化物系半导体衬底及其制造方法。本发明提供了位错密度低，并且具有足够厚度的载流子浓度偏差范围较小的表面层的III－V族氮化物系半导体自支撑衬底及其制造方法。该半导体衬底是由在与衬底表面大致垂直的方向上存在许多载流子浓度与周围不同的区域的第一层和从表面到至少10μm深度的第二层构成，在第二层中基本上没有形成上述载流子浓度不同的区域，因而载流子浓度分布基本上是均匀的。