晶片载置台及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114823463A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210051452.7

    申请日:2022-01-17

    Abstract: 本发明提供一种晶片载置台及其制造方法,其防止在陶瓷基体产生裂纹,使连接构件不易脱落。本发明的静电卡盘具备:在上表面具有晶片载置面的第一陶瓷基体;配置于第一陶瓷基体的下表面侧的第二陶瓷基体;将第一陶瓷基体的下表面与第二陶瓷基体的接合面进行接合的金属接合层;具备上底和下底,且在上底与金属接合层接触的状态下埋设于第二陶瓷基体的连接构件;以及与连接构件的下底电连接的供电端子。连接构件具有将连接构件沿与上底平行的面切断时的截面积从上底侧朝向下底侧变大的部分。

    半导体制造装置用构件及其制法

    公开(公告)号:CN114724996A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210006438.5

    申请日:2022-01-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用构件及其制法,其可避免排气孔被支撑插销的粘接材料堵塞。半导体制造装置用构件具备:陶瓷板;设置于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面的插销插入孔;在厚度方向上贯通陶瓷板中的插销插入孔的底壁的排气孔;插入到插销插入孔的插销;以及设置在插销内部的气体流路。在插销的侧面设置有台阶,在比台阶深的区域,插销插入孔与插销抵接,在比台阶浅的区域,在插销插入孔与插销之间形成有间隙,在间隙中形成有粘接材料制的插销支撑构件。

    陶瓷加热器
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113170539A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980077623.X

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 陶瓷加热器10具备陶瓷板20、主电阻发热体22和副电阻发热体23、25。主电阻发热体22是在陶瓷板20的内部设置于与晶片载置面20a平行的第一面P1上的线圈状的发热体。副电阻发热体23、25在陶瓷板20的内部设置于与第一面P1平行且位于第一面P1与晶片载置面20a之间的第二面P2上,是对基于主电阻发热体22的加热进行补充的二维形状的发热体。

    陶瓷加热器及其制法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113170536A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202080006299.5

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(20)。陶瓷板(20)具有晶片载置面(20a),包含碳成分作为杂质,被分为内周侧区域(Z1)和外周侧区域(Z2)。在内周侧区域(Z1)设置有高熔点金属制的内周侧电阻发热体(22)。在外周侧区域(Z2)设置有至少表面为金属碳化物制的外周侧电阻发热体(24)。

    半导体制造装置用部件
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110970327A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201910926818.9

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件,其具备:陶瓷板,其在上表面具有晶圆载置面,且内置电极;陶瓷制的致密质插头,其配设于陶瓷板的下表面侧,且通过环状的接合部与陶瓷板陶瓷接合;金属制的冷却板,其通过环状的接合部以外的部分接合于陶瓷板的下表面;以及气体流路。气体流路具有将陶瓷板在厚度方向上贯通的放气孔和一边弯曲一边贯通致密质插头的上表面侧和下表面侧且与放气孔连通的气体内部流路,且在比环状的接合部的内周靠内侧通过。

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