-
公开(公告)号：CN115057711A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210702305.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
-
公开(公告)号：CN108699727B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201780005781.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板，使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
-
公开(公告)号：CN107531576B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201680025071.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G01N23/207 , G02B1/02
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。
-
公开(公告)号：CN108025981B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680050865.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G02B1/02
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5％以上，且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，用D－SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长300nm～1000nm处的直线透过率较高，透明性优异。
-
公开(公告)号：CN108137411B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201680050576.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108025979A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680050570.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
CPC classification number: C30B29/20 , C01F7/02 , C01P2002/54 , C04B35/111 , C30B1/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B28/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/6835 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
-
公开(公告)号：CN107074574A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680002585.8
申请日：2016-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01F7/02 , C04B35/626
Abstract: 本发明的板状氧化铝粉末的制法如下：将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中，进行热处理，由此，得到板状的α－氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ－氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量％以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750～1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。
-
公开(公告)号：CN105658849A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
-
公开(公告)号：CN1463373A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02801939.3
申请日：2002-02-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: G02B6/0071 , G02B6/0068 , G02B26/0833 , G02F1/313 , G02F2203/023 , G02F2203/62
Abstract: 提供一种由以下部件构成的显示器的光学系统：用以导入光线的导光板；设置成面对导光板的一个板表面的面板部分，该面板部分包括配置了致动元件的驱动部件，每一个致动元件与多个像素相对应，以便与输入的图像信号的属性对应地沿着接触/分离的方向控制致动元件向着/离开上述导光板做位移运动，从而控制导光板在所述导光板预定区域的泄漏光束，使导光板显示对应于图像信号的图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.043 seconds)
