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公开(公告)号：CN116895503A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310005569.6
申请日：2023-01-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，能够进一步改善晶片的均热性。晶片载放台(10)构成为：在内置有电极(22)的陶瓷板(20)的下表面侧设置有具有制冷剂流路(32)的冷却板(30)。作为水平空间的气体中间通路(50)与晶片载放面(21)平行地设置于晶片载放台(10)的内部的比制冷剂流路(32)靠近晶片载放面(21)的位置，且具有俯视时沿着制冷剂流路(32)与制冷剂流路重复的重复部。
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公开(公告)号：CN116741692A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310115342.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，能够抑制发生开裂，并且，从外部控制内部空间。半导体制造装置用部件(10)具备：基底基材(20)、聚焦环(FR)载放台(30)、晶片载放台(40)、以及内部空间(50)。基底基材(20)具有晶片载放台支撑部(21)和FR载放台支撑部(22)。FR载放台(30)借助环状接合层(26)而接合于FR载放台支撑面(22a)。晶片载放台(40)与FR载放台(30)分体，且俯视与FR载放面(30a)的内周部重复，借助圆形接合层(27)而接合于晶片载放台支撑面(21a)及FR载放面(30a)的内周部。内部空间(50)为由晶片载放台支撑部(21)的侧面、FR载放台(30)的内周面及圆形接合层(27)包围的环状空间，借助连通路(25)而与外部连通。
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公开(公告)号：CN116454002A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211018740.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种具备容许气体流通的多孔质插塞的廉价的半导体制造装置用部件。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)，其上表面具有晶片载放面(21)；以及树脂多孔质插塞(50)，其上表面(50a)在晶片载放面(21)露出。树脂多孔质插塞(50)被压入固定于：沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(54)，并容许气体流通。
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公开(公告)号：CN116130324A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210953556.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台。晶片载放台(10)具备：氧化铝基材(20)、冷却基材(30)、以及展延性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面，且在内部形成有冷媒流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且卡合于收纳孔(36)的卡合部的状态收纳于在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹进行旋合。
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公开(公告)号：CN115954252A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210678561.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，降低排热能力高且不易发生破损的晶片载放台的制造成本。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，上表面具有晶片载放面(22a)，内置有电极(26)；冷却基材(30)，内部形成有冷媒流路(38)；金属接合层(40)，将陶瓷基材(20)的下表面和冷却基材(30)的上表面接合。冷却基材(30)具有：金属基复合材料制或低热膨胀金属材料制的顶部基材(81)，构成冷媒流路(38)的顶部；主成分与陶瓷基材(20)相同的陶瓷材料制的带沟基材(83)，上表面设置有构成冷媒流路(38)的底部及侧壁的流路沟(88)；金属制的顶部接合层(82)，将顶部基材(81)的下表面和带沟基材(83)的上表面接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110770891B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880041614.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊‑拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。
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公开(公告)号：CN114080670A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080047681.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种静电卡盘加热器，其具备：静电卡盘，其在陶瓷烧结体中埋设有静电电极；冷却部件，其对静电卡盘进行冷却；以及加热器层，其设置于静电卡盘与冷却部件之间，多段地埋设有包含电阻发热体层的多个金属层。加热器层在金属层彼此之间具有厚度为2μm以上且50μm以下的陶瓷绝缘层。
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公开(公告)号：CN114072901A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080047761.6
申请日：2020-06-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种晶片载置台，其在陶瓷烧结体的表面具备支撑晶片的多个凸部。陶瓷烧结体的表面中没有凸部的部分是表面粗糙度Ra为0.1μm以下的镜面。凸部是与陶瓷烧结体相同材质的气溶胶沉积膜或喷镀膜。
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公开(公告)号：CN114026956A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080047910.9
申请日：2020-06-10
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 带轴的陶瓷加热器具备：陶瓷板，其埋设有RF电极和电阻发热体；中空的陶瓷轴，其设置于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面上；RF供电棒，其收容于陶瓷轴的内部空间，从陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面接合于RF电极；以及发热体供电棒，其收容于陶瓷轴的内部空间，从陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面接合于电阻发热体。RF供电棒及发热体供电棒的至少一方中的位于陶瓷轴的内部空间的部分的外周面被绝缘薄膜覆盖，绝缘薄膜为气溶胶沉积膜或喷镀膜。
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公开(公告)号：CN113748500A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080031109.5
申请日：2020-06-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 静电卡盘具备陶瓷基材、陶瓷电介质层、静电电极和陶瓷绝缘层。陶瓷电介质层配置在陶瓷基材上，比陶瓷基材薄。静电电极埋设在陶瓷电介质层与陶瓷基材之间。陶瓷绝缘层配置在陶瓷电介质层上，比陶瓷电介质层薄。陶瓷绝缘层的体积电阻率及耐电压比所述陶瓷电介质层高，陶瓷电介质层的介电常数比陶瓷绝缘层高。
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