公开(公告)号：CN1210756C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02118812.2

申请日：2002-04-28

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 井内裕 ,  前野修一 ,  安东靖典 ,  松田恭博

IPC: H01J37/04 ,  G01R19/00

Abstract: 现有技术的法拉第装置中，仍有部分等离子体能够到达法拉第杯，因而影响了离子束电流的测量精度。本发明提供了一种法拉第装置，其中设置了一对磁体，用于在所述孔径附近产生一个具有横跨所述障板孔径的方向的磁场，于是射束等离子体和障板表面附近产生的等离子体不能到达正偏置电极。由此减少了包含于等离子体中的离子被抑制器电极的负电压吸引并被入射到法拉第杯上的机会，因而减少了束电流测量中的误差。

公开(公告)号：CN117501454B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380010645.0

申请日：2023-03-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/425 ,  H10D30/01 ,  H01L21/265

Abstract: 一种固定电荷控制方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管，所述固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘膜内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

公开(公告)号：CN113841218B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202080036501.9

申请日：2020-06-03

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02

Abstract: 提供一种可效率良好地向处理室供给自天线产生的高频磁场的等离子体处理装置。等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，与所述金属板接触而受到支撑，并自所述处理室的外部侧堵塞所述狭缝；以及天线，以与所述金属板相向的方式设置于所述处理室的外部，并与高频电源连接而产生高频磁场，所述等离子体处理装置满足h‑D/2＞0.7(h为所述天线的中心轴与所述金属板中的所述天线侧的表面之间的距离(mm)，D为所述天线的直径(mm))。

公开(公告)号：CN118235527A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280074964.3

申请日：2022-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/40 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明在谋求天线所包括的电容元件的静电电容的增大的情况下，使电流在电容元件所包括的各第二电极中充分且均匀地流动。天线(3)包括天线元件(31)及电容元件(32)，电容元件(32)包括第一电极(32A)及第二电极(32B)，在第一电极(32A)所包括的第一圆柱部(321A)的内侧形成多个贯穿孔(H1)，所述多个贯穿孔(H1)沿着第一圆柱部(321A)的侧面(ES1)排列形成，并且供第二电极(32B)所包括的多个棒状电极(32C)分别插入。

公开(公告)号：CN117043385A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280020050.9

申请日：2022-06-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 久保田清 ,  安东靖典

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明遍及靶的整个表面地供给气体。溅镀装置(1)的真空容器(2)包括保持靶(30)的至少一个靶保持器(32)。靶保持器包括：气体导入部(51)，导入气体(10)；以及一对气体放出口(54)，设置于靶周围的至少一部分的相向位置且将气体放出至真空容器内。

公开(公告)号：CN116982142A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280020052.8

申请日：2022-02-25

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/318

Abstract: 一种成膜方法，在氧化物半导体上形成氮氧化硅膜，所述成膜方法的特征在于，通过等离子体CVD法来形成所述氮氧化硅膜，所述等离子体CVD法是供给SiF4气体、氮气、氧气及氢气作为工艺气体而进行，在所述供给的工艺气体中，氮气的流量相对于氮气与氧气的合计流量的比例为93％以上。

公开(公告)号：CN110709968B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201880037318.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。

公开(公告)号：CN115735269A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180043421.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/316

Abstract: 在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述沟道保护层包括含有氟的氧化硅膜，所述含有氟的氧化硅膜中O原子数(at％)相对于Si原子数(at％)的比即O/Si比为1.94以上。

公开(公告)号：CN115279938A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180019740.8

申请日：2021-03-12

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  东大介

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明通过在真空容器的外部配置天线并缩短从靶材到被处理物的距离，从而可实现成膜速度或处理效率的提高，并且高效率地溅镀靶材。一种溅镀装置100，使用等离子体P来溅镀靶材T而在被处理物W进行成膜，且包括：真空容器1，经真空排气；天线5，设置在真空容器1的外部；介电质板6，设置在真空容器1的外壁1a的面向天线5的位置；以及靶材保持部3，在真空容器1内保持靶材T，靶材T设置在夹持介电质板6的位置中的一者或两者，其溅镀面Ta相对于介电质板6向与天线5相反的一侧倾斜延伸。

公开(公告)号：CN111656475B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201980009942.7

申请日：2019-01-25

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 李东伟 ,  安东靖典

IPC: H01G5/06 ,  H01G5/013 ,  H01G5/08 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种电容元件及等离子体处理装置。在使用液体物质来作为电介质的电容元件中，防止静电电容变化。电容元件包括：收纳容器，具有将作为电介质的液体导入的导入端口及将所述液体导出的导出端口，且由所述液体来装满；以及至少一对电极，设置于所述收纳容器内且彼此相向，并且在所述收纳容器的上壁形成有用以将此收纳容器内的气泡排出的开口部。