公开(公告)号：CN116635984A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202080107575.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  雷诺公司

Inventor： 倪威 ,  林哲也 ,  沼仓启一郎 ,  丸井俊治 ,  田中亮太 ,  岩﨑裕一

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移区域，其配置在衬底的主面上，杂质浓度比衬底高；第一阱区域，其与漂移区域连接；以及第二阱区域，其与第一阱区域邻接配置，并与漂移区域相对。第二阱区域的杂质浓度比第一阱区域高。在与衬底的主面平行的方向上，经由第一阱区域与漂移区域相对的源极区域与漂移区域之间的距离比第二阱区域与漂移区域之间的距离长。从第二阱区延伸的耗尽层到达漂移区。

公开(公告)号：CN112005349A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201880092483.9

申请日：2018-04-19

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 倪威 ,  丸井俊治 ,  田中亮太 ,  林哲也 ,  山上慈春 ,  沼仓启一郎 ,  竹本圭佑 ,  早见泰明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。

公开(公告)号：CN110291620A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201780086361.4

申请日：2017-02-14

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 倪威 ,  林哲也 ,  田中亮太 ,  竹本圭佑 ,  早见泰明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。