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公开(公告)号：CN102758189A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN101080321B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680001436.6
申请日：2006-10-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/12 , B32B27/00 , B32B27/08 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/208 , G06F3/045 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明提供一种导电性层叠薄膜，其是经由粘合剂层，粘接具有第一面和第二面的第一透明基材与在具有第一面和第二面的第二透明基材的第一面具有透明导电性薄膜的导电性薄膜，并配置成第一透明基材的第二面与第二透明基材的第二面对置的导电性层叠薄膜，其中，第一透明基材与第二透明基材均为塑料基材，粘合剂层利用含有如下所述的丙烯酸系聚合物的粘合剂形成，该丙烯酸系聚合物即为将1～35重量％(甲基)丙烯酸甲酯、60～98重量％具有碳原子数2～12的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯以及0.1～10重量％含官能团单体作为单体单元含有的丙烯酸系聚合物。该导电性层叠薄膜可以抑制上述粘合剂层成为暗光泽面状。
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公开(公告)号：CN1310124C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410094694.6
申请日：2004-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制打痕造成的凹凸不平的、且在作为显示器时不出现图像的凹陷或变形等以及不降低显示质量的触摸面板用透明导电性薄膜的制造方法。是一种介由粘附剂层(44)对具有硬涂层和/或防眩层的第1薄膜(16)和具有透明导电膜的第2薄膜(62)进行层叠的透明导电性薄膜(70)的制造方法，具备：向带粘附剂层的所述第1薄膜(18)的间隔件(10)的第2面和第1薄膜(16)之间的两端部提供衬垫并同时卷绕在卷芯上而形成带粘附剂层的第1薄膜的辊体的工序，在从带粘附剂层的第1薄膜(18)的辊体开卷的同时除去间隔件(10)并从在两端部介由衬垫卷绕在卷芯上的辊体提供第2薄膜(62)而进行粘附的层叠工序。
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公开(公告)号：CN1281410C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410074916.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0042 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80-150℃，真空度为8×10-3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1-6%重量的Sn原子含量，膜厚为15-30nm，霍尔迁移率为15-28cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30-45cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3，而获得透明导电层压材料。
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公开(公告)号：CN1590086A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074916.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0042 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80－150℃，真空度为8×10－3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1－6％重量的Sn原子含量，膜厚为15－30nm，霍尔迁移率为15－28 cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30－45cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3，而获得透明导电层压材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107089544B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201710087482.2
申请日：2017-02-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够良好地剥离下利用静电吸附在输送片材上的光学膜并对其进行自动回收的光学膜输送回收装置、方法和光学膜制造系统。输送回收装置(3)包括带式输送机(31)、除电器(34)和剥离机构(36)。带式输送机(31)用于在利用静电使光学膜(30)吸附在输送片材(20)上的状态下在输送面(32)上对输送片材进行输送。除电器(34)用于对利用带式输送机输送来的输送片材(20)和光学膜(30)进行除电。剥离机构(36)用于使利用除电器除电后的输送片材(20)和光学膜(30)剥离。除电器(34)用于在输送片材(20)的一部分与输送面(32)分开的状态下对输送片材和光学膜这两者的与输送面(32)分开的部分进行除电。
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公开(公告)号：CN107089544A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710087482.2
申请日：2017-02-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够良好地剥离下利用静电吸附在输送片材上的光学膜并对其进行自动回收的光学膜输送回收装置、方法和光学膜制造系统。输送回收装置(3)包括带式输送机(31)、除电器(34)和剥离机构(36)。带式输送机(31)用于在利用静电使光学膜(30)吸附在输送片材(20)上的状态下在输送面(32)上对输送片材进行输送。除电器(34)用于对利用带式输送机输送来的输送片材(20)和光学膜(30)进行除电。剥离机构(36)用于使利用除电器除电后的输送片材(20)和光学膜(30)剥离。除电器(34)用于在输送片材(20)的一部分与输送面(32)分开的状态下对输送片材和光学膜这两者的与输送面(32)分开的部分进行除电。
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公开(公告)号：CN102758189B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN104903975A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069624.2
申请日：2013-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/3492 , C23C14/086
Abstract: 提供一种结晶性优异、可实现较小的表面电阻值的透明导电膜。透明导电膜(1)具有形成在薄膜基体材料(2)的两个表面上的透明导体层(3、4)。透明导体层(3)是从薄膜基体材料(2)的表面(2a)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(5)、铟锡氧化物层(6)和铟锡氧化物层(7)而构成。透明导体层(4)是从薄膜基体材料(2)的表面(2b)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(8)、铟锡氧化物层(9)和铟锡氧化物层(10)而构成。铟锡氧化物层(6)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(5)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(7)的氧化锡含量都高。铟锡氧化物层(9)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(8)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(10)的氧化锡含量都高。
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公开(公告)号：CN103035325B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210374585.4
申请日：2012-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/1884 , H05K1/09 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
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