公开(公告)号：CN114007856A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080045702.5

申请日：2020-06-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  河野文彦 ,  梶原大辅

IPC: B32B9/00 ,  H01B5/14 ,  B32B7/025

Abstract: 透明导电性薄膜1具备：透明薄膜基材2、和配置于透明薄膜基材2的厚度方向一个面的透明导电层3。透明导电层3的厚度为35nm以上。透明导电层3为结晶质。透明薄膜基材2的厚度方向一个面具有1.0nm以下的算术平均粗糙度Ra。

公开(公告)号：CN113393972A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110268823.2

申请日：2021-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  碓井圭太

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 提供透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(2)的制造方法中，一边沿长度方向输送长条透明薄膜(10)，一边在长条透明薄膜(10)的一个面上形成透明导电层(22)。透明导电层(22)通过一边沿成膜辊(15)的周面输送长条透明薄膜(10)一边溅射来形成。透明导电层(22)的厚度超过35nm。透明导电层(22)在形成时与长条透明薄膜(10)的长度方向垂直的截面的每单位面积的输送张力为3.3N/mm2以上。

公开(公告)号：CN111613366A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010106069.8

申请日：2020-02-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  藤野望

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08

Abstract: 提供能够以短时间对透光性导电层进行蚀刻的透光性导电薄膜。透光性导电薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透光性导电层(5)，将透光性导电层(5)的载流子密度设为n×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为μ(cm2/V·s)时，n相对于μ的比(n/μ)超过5.0。

公开(公告)号：CN110614833A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910527687.7

申请日：2019-06-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  鹰尾宽行

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/18 ,  B32B27/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/20

Abstract: 本发明提供一种即使经由真空工艺也能抑制薄膜污染的树脂薄膜和使用其而得到的导电性薄膜、以及层叠薄膜的制造方法。一种树脂薄膜，其包含在大气压下的沸点或热分解点为285℃以下的抗氧化剂。前述抗氧化剂在1.3Pa的真空下的沸点或热分解点优选为50℃以下。

公开(公告)号：CN103345962B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310269101.4

申请日：2012-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梨木智刚 ,  拝师基希 ,  野口知功 ,  石桥邦昭 ,  梶原大辅

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08

CPC classification number: H05K1/0274 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/1884 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。

公开(公告)号：CN110415864B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201910329447.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅

IPC: H01B5/14

Abstract: [课题]提供能够抑制卷取成卷状时的卷偏移的产生的带有保护薄膜的导电性薄膜。[解决方案]一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其具备：树脂薄膜、作为前述树脂薄膜的一面侧的最外层而配置的导电层、和作为前述树脂薄膜的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜，前述导电层的最表面的表面粗糙度Ra为1nm以上且10nm以下，前述保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra为100nm以上且300nm以下。

公开(公告)号：CN115298765A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022925.4

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  藤野望 ,  碓井圭太

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有霍尔迁移率μ(cm2/V·s)和载流子密度n×1019(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。

公开(公告)号：CN115298762A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022256.0

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  梶原大辅

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明基材(10)和非晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)含有氪，且具有5.5×10‑4Ω·cm以上的电阻率。

公开(公告)号：CN114765082A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210040699.9

申请日：2022-01-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  梶原大辅

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供带载体薄膜的导电性薄膜转印材料、及带载体薄膜的导电性薄膜转印材料的制造方法。带载体薄膜的导电性薄膜转印材料(1)朝向厚度方向一侧依次具备载体薄膜(20)、临时支撑体(2)、固化树脂层(3)和导电层(4)。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)可剥离。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)的剥离力比载体薄膜(20)与临时支撑体(2)的剥离力小。

公开(公告)号：CN111607119A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010104843.1

申请日：2020-02-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  藤野望

IPC: C08J7/044 ,  C08L45/00

Abstract: 提供能够兼顾良好的导电性及蚀刻性的透光性导电薄膜。透光性导电薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透光性导电层(5)，透光性导电层(5)的厚度超过40nm，将透光性导电层(5)的载流子密度设为n×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为μ(cm2/V·s)时，n相对于μ的比(n/μ)为4.0以上。