公开(公告)号：CN104282554A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310281980.2

申请日：2013-07-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二或第二导电类型的通道；在所述衬底的第一表面上外延形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道，此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104282551A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310277434.1

申请日：2013-07-03

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二或第一导电类型的通道；在所述衬底的第一表面上键合形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道，此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104253043A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310271615.3

申请日：2013-06-28

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  芮强

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种场截止型绝缘栅双极晶体管器件的制备方法，在衬底上外延生长形成重掺杂的N型外延层作为场截止层，然后外延生长形成轻掺杂的N型外延层作为耐压层，接着进行常规正面工艺，然后进行背面减薄工艺，接着在背部注入P型杂质并退火形成P型集电区，然后进行常规背面金属化工艺。采用本方法，生产周期较短，且不需要昂贵的高能离子注入设备和激光退火设备，可以按器件需求控制场截止层厚度和杂质浓度，并使减薄工艺难度降低，既提高了器件性能，也降低了工艺难度。本方法对衬底选取较自由，可选择成本较低的衬底。

公开(公告)号：CN104241124A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310261253.X

申请日：2013-06-24

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  王万礼

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上采用挖槽填充的方式形成P+发射区；在所述N型衬底上具有P+发射区的一面外延制备N型漂移区；在所述N型漂移区上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；将所述N型衬底减薄至背面露出所述P+发射区；在所述N型衬底背面形成金属电极。上述方法采用挖槽填充与外延方式结合制备NPT RC IGBT，与常规的硅片工艺兼容，不需要较高的薄片流通工艺要求，也不需要专用的双面曝光机。