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公开(公告)号：CN115786863B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202211521235.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及光电功能晶体器件电极制备技术领域，具体涉及一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的电光元件及制备方法。该电光元件的制备方法，包括如下步骤：(1)采用离子掺杂生长的钽铌酸钾晶体，对其进行光学级抛光；(2)用磁控溅射在钽铌酸钾晶体表面镀双层金属薄膜电极；(3)在紫外激光辐照的条件下对镀膜晶体进行快速退火。采用离子掺杂的钽铌酸钾晶体，减小金属和晶体间的势垒宽度，使电子或空穴更容易发生隧穿，降低实现欧姆接触所需的退火温度。同时通过在退火过程加入激光辐照，进一步降低使钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的退火温度，避免高温退火对晶体内部的破坏，制得的电光元件光学质量好，电学性能稳定。
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公开(公告)号：CN119104772A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411271590.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 一种基于铁电相钽铌酸钾晶体电光效应的半波电压测量方法，属于光电功能材料与器件领域。该测量方法核心步骤包括KTN晶体加工镀膜、样品定向极化和半波电压测量三部分；KTN晶体样品沿晶轴X/Y/Z正向加工，沿晶体光轴Z轴定向极化，沿极化方向施加驱动电压，X/Y方向通光，最终测得半波电压。本发明为铁电相KTN晶体材料的半波电压测量提供了完备方案，具有过程简便、通用性好、适用波段宽、安全高效等优点，并可为其它多畴类铁电晶体的半波电压测量和光学性能的研究提供参照。
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公开(公告)号：CN117779182B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202311820144.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长领域，尤其涉及一种SrZnSnSe4三温区气相输运制备方法、产物及其应用。本发明包括以下步骤:(1)石英管一端温区1放置单质Se；中部温区2放置Se、Sn、Sr；另一端温区3放置Zn；(2)抽取真空之后密封石英管；(3)控制各个温区温度升降温程序；(4)恒温使晶体生长；(5)晶体生长完成后降至室温。该发明获得的SrZnSnSe4晶体尺寸可达厘米级，有效弥补了现有生长技术的不足，可作为红外非线性光学晶体材料。
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公开(公告)号：CN115785955B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202211581130.X
申请日：2022-12-09
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于涉及荧光材料技术及照明器件领域，尤其涉及一种Bi3+离子掺杂全光谱白光荧光材料及其制备、应用。所述荧光材料的化学通式为MY(1‑x)BixGa3O7或M(1‑x)YBixGa3O7的荧光材3+料，M为Sr、或Ba的一种，x代表Bi 离子的掺杂浓度，0.02≤x≤0.06，所述荧光材料的发光中心为Bi3+离子，在波长为200‑385nm的紫外/近紫外的激发下发出白光，所述荧光材料的荧光光谱波长位于400‑700nm范围内；优选本发明通过调控制备温度，得到包含一种或一种以上组分的荧光材料，该荧光材料产物在紫外/近紫外光激发下，整体发射出白光且随着制备温度的不同呈现不同品质的白光。
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公开(公告)号：CN116041061B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202211706834.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于无机非金属材料领域，尤其涉及一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法。为钠、铁共掺钽铌酸钾晶体,其化学式为Na,Cu：K1+ZTa1‑xNbxO3，其中，Nb的量为0.36≤X≤0.40，0.15≤Z≤0.3，居里点位于‑241～90℃之间，所述钽铌酸钾陶瓷在居里点以上晶体为立方相，m3m点群；在居里点以下变为四方相，4mm点群；通过引入钠、铜元素作为掺杂离子，通过确定掺杂量，选择优选配比，配合专用的制备方法，制备了高质量陶瓷，均匀性好，陶瓷质量得到大幅度提高；陶瓷漏电性能得到大幅度改善，进一步推动了KTN陶瓷的器件应用；本制备方法操作简单，成本低，大大降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114016121B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111288952.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于二阶非线性晶体制备技术领域，具体涉及一种低温生长碳酸盐类拉曼晶体的方法和应用，所述方法包括：将BaCO3、硼酸盐及尿素溶于醇中，进行熔剂热法反应；反应完成后降至室温得到碳酸盐类拉曼晶体。通过熔剂热法生长碳酸盐类拉曼晶体，可在低温下生长碳酸盐晶体，解决了碳酸盐晶体难以在高温下生长的难题，获得了频移量达1057.8cm‑1的新型拉曼晶体，拓宽了拉曼晶体的应用范围。
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公开(公告)号：CN114016121A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111288952.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于二阶非线性晶体制备技术领域，具体涉及一种低温生长碳酸盐类拉曼晶体的方法和应用，所述方法包括：将BaCO3、硼酸盐及尿素溶于醇中，进行熔剂热法反应；反应完成后降至室温得到碳酸盐类拉曼晶体。通过熔剂热法生长碳酸盐类拉曼晶体，可在低温下生长碳酸盐晶体，解决了碳酸盐晶体难以在高温下生长的难题，获得了频移量达1057.8cm‑1的新型拉曼晶体，拓宽了拉曼晶体的应用范围。
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公开(公告)号：CN111775354B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010563920.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 一种可定制高精度钽铌酸钾（KTa1‑xNbxO3；0≤x≤1，简称KTN）单晶基片元件的加工制作方法，属于人工晶体及玻璃材料的加工制备领域，方法主要包括针对KTN系列晶体的定向、切割、组方、研磨、抛光及卸盘。本发明为KTN单晶基片元件制作提供完备方案，可为KTN晶体用作光波导、光开关、偏转器等电光调制元件，以及衬底基片材料提供样品基础。
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