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公开(公告)号：CN103368057A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310278201.3
申请日：2013-07-03
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及两维MoS2脉冲调制器件及全固态激光用脉冲调制激光器。所述MoS2脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上的MoS2材料,衬底厚度为0.5～2mm；MoS2材料厚度为1-50nm；可用于对产生可见光、红外或紫外的激光进行调Q或锁模；所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源，前腔镜，激光增益介质，MoS2调制器件，输出镜；将所述的MoS2调制器件置于所述谐振腔内，制成调Q器件或锁模器件的激光器；所述的激光增益介质是半导体、激光晶体、激光陶瓷或者激光玻璃。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、可实现波长较大范围内激光的调节、有利于产业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN102944322A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210485015.2
申请日：2012-11-23
Applicant: 山东大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种异质结纯电阻-二极管复合温度计，采用Co/CoO-ZnO/Ag异质结，该异质结中Co为下电极，Ag为上电极，CoO-ZnO为复合绝缘层。在测量时，把异质结的Ag、Co上下电极和外电路测量仪表相连接，当电压银正、钴负时异质结处于低阻态，利用低电阻状态时的金属导电特性对应的R-T曲线测量高温；当电压是银负、钴正时异质结处于高组态；利用高电阻状态时的半导体导电特性对应的R-T曲线测量低温，测量温度范围5K-300K。本发明的温度计可测量温度范围宽，在大范围内均能保证同样的测量精度。对温度的响应时间快且很灵敏，可用于微米级物体的温度测量。
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公开(公告)号：CN101807297A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910005674.X
申请日：2009-02-16
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种医学超声图像直线检测方法，为了克服现有技术需要人工操作，抗噪性能差，计算量很大且不能实时检测等缺点而发明；包括以下步骤：(1)选取感兴趣区域；(2)对当前的帧图像进行抽样；(3)找出每个抽样样本中的边缘点；(4)使用随机抽样一致性算法对找出的边缘点进行计算，并根据计算结果选取一条直线作为检测到的直线。采用上述方法大大地减少了医学超声图像直线检测处理的计算量，增强了抗噪性，降低了对噪声敏感度，能够很好地消除斑点噪声对检测结果的影响，能够对视频超声图像进行实时、自动的检测。
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公开(公告)号：CN100595851C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200710115811.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1124621C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN01107727.1
申请日：2001-01-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 银-导电陶瓷复合电接触材料，属于新材料技术领域。它的主要内容是银和导电陶瓷组成复合电接触材料，其重量比为银60%～90%，导电陶40%～10%。导电陶瓷为(Re1-xAx)(B1-yFey)O3。它克服了现有技术存在的加工性差、温度稳定性差的缺点。本发明具有较好的灭弧性、抗熔焊性、抗损耗、抗粘结性以及抗银迁移性，还具有接触电阻低而稳定、温升小等优点。
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公开(公告)号：CN1211631A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98110340.5
申请日：1998-07-15
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域。本发明的主要内容是采用新的掺杂铁锆硼材料体系,其组分为:Fe100－x－y－zZryBzMx,通过熔炼、快淬形成非晶薄带,然后进行退火处理,最终得到铁锆硼掺杂的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料。本发明解决了现有材料存在的温度稳定性差,时效老化严重,生产工艺复杂等缺点。采用本发明制得的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料具有良好的热稳定性,同时该发明还简化了工艺,降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103996969B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410235281.9
申请日：2014-05-29
Applicant: 山东大学
IPC: H01S3/11
Abstract: 本发明涉及层状VO2激光脉冲调制器件及应用。层状VO2脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上面的VO2材料，用于对产生近红外的激光进行调Q和锁模，制成全固态激光用脉冲调制激光器；所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源，前腔镜，激光增益介质，VO2调制器件，输出镜；将所述的VO2调制器件放于全固态激光器的谐振腔内，制成调Q器件或锁模器件的激光器。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、有利于产业化生产和集成化等特点。
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公开(公告)号：CN102945922A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210449048.1
申请日：2012-11-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均溅射Ag电极，下电极Ag接地，当上电极Ag加一定的正电压时，磁性隧道结由高阻态转换为低阻态，当上电极Ag加一定的负电压时，磁性隧道结由低阻态变为高阻态。本发明还提供多功能自旋记忆电阻器件的制备方法。本发明结合隧穿磁电阻和电致电阻效应，通过电场和磁场的作用成功实现了Co/CoO-ZnO/Co中多重电阻状态的调控。该器件可用于多态存储器和模拟神经网络。
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公开(公告)号：CN101807297B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910005674.X
申请日：2009-02-16
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种医学超声图像直线检测方法，为了克服现有技术需要人工操作，抗噪性能差，计算量很大且不能实时检测等缺点而发明；包括以下步骤：(1)选取感兴趣区域；(2)对当前的帧图像进行抽样；(3)找出每个抽样样本中的边缘点；(4)使用随机抽样一致性算法对找出的边缘点进行计算，并根据计算结果选取一条直线作为检测到的直线。采用上述方法大大地减少了医学超声图像直线检测处理的计算量，增强了抗噪性，降低了对噪声敏感度，能够很好地消除斑点噪声对检测结果的影响，能够对视频超声图像进行实时、自动的检测。
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