公开(公告)号：CN103733413A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201180072855.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 本间健司 ,  山本保 ,  田中努

IPC: H01M10/0562 ,  H01B1/06 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01B1/06 ,  H01B1/10 ,  H01M10/052 ,  H01M2220/20 ,  H01M2300/0068 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7011

Abstract: 一种锂离子导电体（固体电解质），其作为构成元素含有锂（Li）、磷（P）、硼（B）以及硫（S），且具有Li3PS4的β结构的磷（P）的一部分被硼（B）取代的晶体结构。

公开(公告)号：CN101271861A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810091384.7

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山本保 ,  绵谷宏文 ,  北田秀树 ,  堀内博志 ,  宫岛基守

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层配线结构，其特征在于：由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案，以及填充上述通孔的通过插件构成，上述通过插件与上述配线图案的表面接触，上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面，含有高于上述表面中的浓度的氧原子。

公开(公告)号：CN1679143A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820040.6

申请日：2003-01-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀内博志 ,  柄泽章孝 ,  宫岛基守 ,  山本保

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明使用有机类清洗液，来清洗在表面上露出绝缘区域和金属区域的基板的该表面。对清洗后的基板表面照射紫外线。由此，能够抑制基板表面上残留残留物的情况。