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公开(公告)号:CN105247626A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201480030001.9
申请日:2014-05-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B15/08 , G06F3/041 , G06F3/044 , G09F9/00 , H01B13/00 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/28
CPC classification number: H05K1/09 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/045 , G09F9/00 , H01B1/02 , H01L51/0021 , H01L51/5212 , H05K1/0296 , H05K3/027 , H05K3/10 , H05K2201/0364 , H05K2201/09209 , H05K2203/0502 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明涉及透明导电膜和透明导电膜的制造方法。透明导电膜为具有透明基体(12)以及在该透明基体(12)上形成的金属布线部(14)的透明导电膜(10),其中,构成金属布线部(14)的电极部(18)的金属细线(24)具有满足Ra2/Sm>0.01μm的表面形状,并且金属体积率为35%以上。另外,Ra表示算术平均粗糙度,为表面粗糙度测量位置的金属布线的厚度以下,单位为μm。Sm为凹凸的平均间隔,为0.01μm以上。
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公开(公告)号:CN104221098A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201380015341.X
申请日:2013-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 片桐健介
CPC classification number: G02B5/0242 , C23C18/08 , G02B5/0268 , G02F1/13338 , G02F1/133504 , G02F1/133528 , G02F1/13439 , G02F2001/133541 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H01L51/5206 , H01L51/5268 , H05K1/0274 , H05K3/06 , H05K2201/0108 , H05K2201/09881 , H05K2203/0571
Abstract: 本发明提供具有高导电性和高透明性、同时图案可见小、且难以因电化学迁移而引起绝缘不良的导电性部件及其制造方法;以及使用了该导电性部件的触控面板和显示装置。该导电性部件的制造方法包括以下工序:在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层和包含光散射性微粒的光散射性层中的任一种的工序;和,在以图案状形成的一种层之间形成另一种层的工序。
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公开(公告)号:CN102725085A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201080062429.3
申请日:2010-11-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/24 , B82B1/00 , B82B3/00 , C22C5/06 , G06F3/041 , G06F3/044 , H01B5/00 , H01B5/14
CPC classification number: B22F1/0025 , B22F1/02 , B22F9/24 , B82Y30/00 , C22C5/06 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/12431
Abstract: 为了提供具有高电导率和优秀耐热性同时保持优秀的光透射率的金属纳米线、其生产方法、透明电导体以及触控面板。本发明的金属纳米线包括:银;以及除银以外的金属,其中,所述金属纳米线的平均长轴长度为1μm或更大,且所述除银以外的金属比银贵重,并且其中当P(原子%)表示所述金属纳米线中的所述除银以外的金属的量且φ(nm)表示所述金属纳米线的平均短轴长度时,P和φ满足以下表达式1:0.1
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公开(公告)号:CN208985120U
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201821311490.7
申请日:2018-08-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G06F3/041
Abstract: 本实用新型涉及触摸面板用导电性薄膜、导电性部件及触摸面板。该触摸面板用导电性薄膜具有:基板(5);多个检测电极(11),形成于基板表面(5A);多个引出配线(12),形成于基板表面(5A)且各引出配线的一端分别与检测电极(11)连接;多个外部连接端子(13),形成于基板表面(5A)且分别与引出配线(12)的另一端连接;及保护层(7),形成于基板表面(5A)上,外部连接端子(13)的上表面(13A)的至少一部分从保护层(7)露出,保护层(7)的上表面(7A)位于比外部连接端子(13)的上表面(13A)更远离基板表面(5A)的位置,保护层(7)的上表面(7A)与外部连接端子(13)的上表面(13A)之间的高低差(H1)为15μm以下。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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