公开(公告)号：CN118969876A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411433963.0

申请日：2024-10-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴冉运 ,  周锦福 ,  李国华 ,  黄志祥 ,  曾玮 ,  王思亮

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C01B17/22 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层，开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜，其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉，并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结，表现出优良的自供电光电探测性能，为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。

公开(公告)号：CN114695581B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN115241368A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210900119.9

申请日：2022-07-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  周祥 ,  王宁 ,  李晨曦 ,  夏超 ,  黄辉 ,  黄志祥

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/铯铅溴量子点存储介质层的非易失性存储器件及其制备方法，其是在衬底上逐层设有MXene层和CsPbBr3量子点层。本发明的非易失性存储器件灵活性高、可拉伸性强，具有广阔的市场前景；且本发明的非易失性存储器件基于二维无机化合物MXene与CsPbBr3量子点的协同而实现，制备方法简单、低成本，可实现工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN111620371A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010498110.0

申请日：2020-06-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  项曙光 ,  胡鑫 ,  陈志成 ,  王宁 ,  周雪

IPC: C01G39/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/48 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明公开了一种用于钠电池的过渡金属氧化物正极材料及其制备方法，是以水热法合成的MoO3纳米棒为模板，制作Zn3Mo2O9纳米片正极材料。本发明所合成的Zn3Mo2O9纳米片用于作为钠电池正极材料，体现出较高的放电比容量和优异的循环性能。

公开(公告)号：CN108155028B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201711470090.0

申请日：2017-12-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  操梦雅 ,  李盼盼 ,  晋华东 ,  李婉青 ,  陈志成

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  C01G39/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其是首先通过两步水热法合成不同尺寸大小的类花状MoS2纳米球，然后将其作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得高比电容的电极。本发明所得电极比电容可达到932F g‑1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报道的最高值，且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到78％。

公开(公告)号：CN108155029B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201711472612.0

申请日：2017-12-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  晋华东 ,  操梦雅 ,  李盼盼 ,  李婉青 ,  陈志成

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种三元金属氧化物纳米结构超级电容器电极的制备方法，其是首先通过水热法制备MoO3，然后再通过其制得三元Zn3Mo2O9纳米圆环薄片材料，最后将Zn3Mo2O9作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得电极。本发明方法制备的Zn3Mo2O9电极比电容高达1184.6F g‑1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报导的最高值；且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到71.3％，电容保持率较高。

公开(公告)号：CN116825877A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310837196.9

申请日：2023-07-10

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  陶金龙 ,  侯蕊 ,  黄辉 ,  夏超 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  黄志祥

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硫化镉纳米线阵列/MXene纳米片异质结的光电探测器，是以镉片为基底，在镉片上生长CdS纳米线阵列作为电子传输层，在CdS纳米线阵列上设置MXene纳米片作为光吸收体。本发明的光电探测器具有制作简便、响应度高、探测率高、外量子效率高等优点。

公开(公告)号：CN112820826B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110067435.8

申请日：2021-01-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  王宁 ,  周雪 ,  夏超 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  黄志祥

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件，其是在衬底上逐层设有MXene层、MoSe2层、PMMA层和MXene层。本发明的非易失性存储器件可重复性好、开关阈值低，具有较好的应用前景；且本发明的非易失性存储器件基于有机物PMMA与无机物MoSe2的协同而实现，制备方法简单、成本低，可实现工业化生产。

公开(公告)号：CN112588303A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011322182.6

申请日：2020-11-23

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  周雪 ,  王宁 ,  项曙光 ,  胡鑫

IPC: B01J27/057 ,  B01J35/02

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋纳米片的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2O2Se纳米片的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2O2Se纳米片，然后通过合适的工艺方法将其与WO3纳米板构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2O2Se纳米片的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN111254461A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010061276.6

申请日：2020-01-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  陈志成 ,  项曙光 ,  胡鑫 ,  周雪 ,  王宁

IPC: C25B11/06 ,  C25B3/04

Abstract: 本发明公开了一种光还原二氧化碳的氧化钨/碘氧铋异质结材料及其制备方法和应用，是利用硝酸铋与碘化钾构成的碘氧铋前驱液使氧化钨纳米板上生长碘氧铋，从而获得目标产物。本发明的异质结材料具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性，可用于光还原二氧化碳生产甲醇。