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公开(公告)号：CN111640829A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010446626.0
申请日：2020-05-25
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其中复合电子阻挡层位于有源层和P型半导体层之间，为AlxInyGa1-x-yN层和石墨烯层周期性交替层叠形成。本发明可以促进空穴横向扩展，改善电子溢流，提升亮度。
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公开(公告)号：CN108110109A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711474080.4
申请日：2017-12-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。
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公开(公告)号：CN104779330A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510217070.7
申请日：2015-04-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/22 , H01L21/203 , H01L33/0075 , H01L33/10
摘要： 本发明提出了一种发光二极管结构及其制备方法，利用二次成长方式，制作并插入一层氮化铝层，藉由该层终止底层缺陷的延伸及改善热反应所产生的晶片翘曲现象；同时对氮化铝层进行图案化处理，进而提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN116960243A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311069473.2
申请日：2023-08-23
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管依次包括第一半导体层、V坑开辟层、发光层和第二半导体层。发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层包括n1个周期的第一量子阱结构，第二发光层包括n2个周期的第二量子阱结构，其中，第一发光层或第二发光层中还包括m个周期的第三量子阱结构，单个周期的第三量子阱结构比位于同一发光层中的其他量子阱结构具有更大的厚度。本发明能有效改善V形坑的质量，降低非辐射复合的几率，保障发光二极管内有效的电子空穴复合效率。
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公开(公告)号：CN112366263B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010703012.6
申请日：2020-07-21
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制备方法，其中的发光二极管包括图形化衬底、缓冲层、三维成长层、二维成长层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中在三维成长层和二维成长层之间生长缺陷转向层，缺陷转向层可以阻挡图形化衬底的凸起顶部的缺陷延伸，并使二维成长层不在凸起顶部进行横向合并，而是在凸起顶部两侧的附近进行横向合并，从而减少位错，降低非辐射复合，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114388669A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111627446.3
申请日：2021-12-28
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法，所述发光二极管包括图形化衬底、覆盖于图形化衬底的缓冲层及发光结构，其中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分与第二部分的材料不同；缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，第一子缓冲层覆盖于图形结构的第一部分的表面及间隔设置的图形结构之间；第二子缓冲层覆盖于图形结构的第二部分的表面，第一子缓冲层的厚度大于第二子缓冲层的厚度。本发明能够提高外延磊晶面积，同时减小外延层内的晶格缺陷，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN112366263A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202010703012.6
申请日：2020-07-21
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制备方法，其中的发光二极管包括图形化衬底、缓冲层、三维成长层、二维成长层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中在三维成长层和二维成长层之间生长缺陷转向层，缺陷转向层可以阻挡图形化衬底的凸起顶部的缺陷延伸，并使二维成长层不在凸起顶部进行横向合并，而是在凸起顶部两侧的附近进行横向合并，从而减少位错，降低非辐射复合，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN111403565A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010228719.6
申请日：2020-03-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管，包括依次层叠：衬底；第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、第二导电型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明可以提升有源层的生长质量，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN106067504B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610597887.6
申请日：2016-07-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米；S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。
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公开(公告)号：CN105470358B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610061132.4
申请日：2016-01-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明提出了一种发光二极管元件，包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，所述发光层的一侧或者两侧具有一避免发光二极管元件内部形成微型n‑p‑n结或p‑n‑p结的阻隔层，所述阻隔层为掺杂类型与相邻的半导体层相同的掺杂层，所述阻隔层由低掺杂层和高掺杂层依次交替堆叠而成，所述高掺杂层的掺杂浓度大于所述低掺杂层的掺杂浓度，所述低掺杂层浓度为1×1017~5×1017cm‑3；所述阻隔层用于防止发光二极管元件在工作中出现电压回转现象造成的开/关延迟效应。
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