公开(公告)号：CN117981499A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280062727.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 有本将治 ,  酒见沙织 ,  小谷哲浩 ,  金村崇

IPC: H10N30/857 ,  C08J5/18 ,  H01G7/02 ,  H10N30/045 ,  H10N30/20 ,  H10N30/30

Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：提供一种具有高压电性和高透明性的有机压电膜。本发明的有机压电膜的全光线透射率为90％以上，每单位膜厚的内部雾度值为0.2％/μm以下，或者内部雾度值为4％以下，以110℃加热10分钟后的压电常数d33为10pC/N以上。

公开(公告)号：CN117941490A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280062632.3

申请日：2022-09-15

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 有本将治 ,  酒见沙织 ,  小谷哲浩 ,  金村崇

IPC: H10N30/857 ,  C08J5/18 ,  H01G7/06 ,  H10N30/20 ,  H10N30/30

Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：提供一种具有高压电性、高透明性和低延迟的有机压电膜。本发明的有机压电膜的全光线透射率为90％以上，每单位膜厚的内部雾度值为0.2％/μm以下，或者内部雾度值为4％以下，压电常数d33为13pC/N以上，每单位膜厚的延迟在0.01～10nm/μm的范围内，或者延迟在0.1～900nm的范围内。

公开(公告)号：CN113652043B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110940092.1

申请日：2016-07-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 金村崇 ,  向井惠吏 ,  硲武史 ,  小谷哲浩 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  桧垣章夫

IPC: C08L27/18 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18

Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为‑8％～+8％，该膜包含熔点为180℃以上的含氟聚合物，且该含氟聚合物包含全部共聚单元的10摩尔％～49摩尔％的偏二氟乙烯单元。变化率(％)＝(B－A)/A×100。

公开(公告)号：CN110832653A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880045402.X

申请日：2018-07-05

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 尾藤慎也 ,  小谷哲浩 ,  酒见沙织 ,  金村崇 ,  关谷毅 ,  植村隆文 ,  吉本秀辅

IPC: H01L41/193 ,  H01L41/113 ,  H04R17/02 ,  C08F214/22 ,  G01H11/08

Abstract: 本发明的课题在于提供一种输出的频率依赖性小的振动传感器。本发明提供一种振动传感器(1)，其包括：支撑体(2)；可形变地设置于支撑体(2)的有机压电体(3)；和形成在有机压电体(3)上且用于取出因有机压电体(3)的形变而产生的电信号的电极(4)，其中，有机压电体(3)由偏氟乙烯和能够与偏氟乙烯共聚的1种以上的单体的共聚物构成。

公开(公告)号：CN102822779B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180017080.6

申请日：2011-02-28

Applicant: 大金工业株式会社 ,  理想星株式会社

Inventor： 小谷哲浩 ,  桑岛祐己 ,  向井惠吏 ,  高明天 ,  金村崇 ,  表研次 ,  大东弘二

IPC: G06F3/041 ,  G01L1/16

CPC classification number: G01L1/16 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04105

Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有更广的有效面积且能够更高精度地检测触摸压力，制造成本较低且外观优异的带框架的透明压电片。本发明的带框架的透明压电片的特征在于包含，透明压电片，其包含：1个透明压电薄膜，其含有有机聚合物；1个第1透明平板电极，其配置于该透明压电薄膜的第1主面；及1个第2透明平板电极，其配置于该透明压电薄膜的第2主面；上述第1透明平板电极具有第1透明平板电极部，上述第2透明平板电极具有第2透明平板电极部，上述第2透明平板电极部的轮廓于俯视时位于上述第1透明平板电极部的轮廓内侧；及框架，其覆盖上述透明压电片的周缘部；于俯视时，上述第1透明平板电极部的轮廓完全重叠于上述框架，且上述第2透明平板电极部的轮廓完全不重叠于该框架。

公开(公告)号：CN104884942A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068407.1

申请日：2013-12-27

Applicant: 大金工业株式会社 ,  东邦化成株式会社

Inventor： 小谷哲浩 ,  向井惠吏 ,  金村崇 ,  高明天 ,  川户进 ,  清水聪

IPC: G01N21/892 ,  C08J7/00

CPC classification number: H01T19/04 ,  C08J7/123 ,  C08J2327/16 ,  G01N21/8422 ,  G01N21/896 ,  G01N2021/8965

Abstract: 本发明提供一种极化偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物树脂膜，其极大地降低了用作光学膜时的、由显示元件产生的影像或图像的质量的劣化。本发明提供一种极化偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物树脂膜，其通过后述的缺陷测定方法测得的点状缺陷的数量为2,000个/m2以下。＜缺陷测定方法＞使用外观检查机，按照能够以相对于LED光源为45度的角度检测缺陷的方式设置CCD摄像机，一边在其下方以20m/分钟的速度进行扫描，一边在宽度方向(相对于扫描的行进方向成直角的方向)300mm、流动方向(扫描的行进方向)150mm的长方形的范围内读取膜的缺陷。就缺陷而言，首先选定明面积为1.5mm2以下且暗面积为1.4mm2以下的缺陷。接着，为除去这些缺陷中所含的、除电晕处理以外的原因的缺陷，以具有沿着扫描的行进方向的2边的方式设定缺陷的外接矩形，仅将外接宽度为2.88mm以下、外接长度为2.3mm以下、纵横比率为－3.9～+2.7、外接矩形中的占有面积比率为4,000～6,950、且面积比率为-3,100～+5,200的缺陷作为点状缺陷，利用外观检查机自动地对其个数进行计数。

公开(公告)号：CN104704046A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051473.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 立道麻有子 ,  太田美晴 ,  横谷幸治 ,  小松信之 ,  仲村尚子 ,  茂内普巳子 ,  硲武史 ,  木下雅量 ,  高明天 ,  石川卓司 ,  井口贵视 ,  内田一畅 ,  深谷伦行 ,  北原隆宏 ,  小谷哲浩

IPC: C08L27/16 ,  C08J5/18 ,  C08K3/20 ,  G02B3/14 ,  G02B26/00 ,  G02B26/02 ,  G02F1/19 ,  H01G4/18

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08J2327/16 ,  C08J2327/18 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2206 ,  C08K2003/222 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2237 ,  G02B3/14 ,  G02B26/005 ,  G02B26/02 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/18 ,  H01G4/206 ,  C08K2201/003 ,  C08L2203/16 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明的目的在于提供具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜。本发明的高介电性膜的特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。

公开(公告)号：CN100584863C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200580026662.5

申请日：2005-07-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 小谷哲浩 ,  今堀裕司

IPC: C08F6/00 ,  B05D7/24 ,  B32B27/30 ,  C08F114/22 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08F6/00 ,  C08F114/22 ,  C08J2327/16 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明提供I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，其为含有70质量%以上的I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，该制造方法通过溶剂的选择来容易地制造含有高纯度的I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物，所述制造方法的特征在于，将数均聚合度为3～20的偏二氟乙烯均聚物溶解于仅含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂中、或溶解于含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂作为一部分的溶剂中，然后将该溶剂蒸发。

公开(公告)号：CN112913039B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201980068351.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 小谷哲浩 ,  酒见沙织 ,  尾藤慎也 ,  金村崇 ,  杉山明平

IPC: H10N30/857 ,  A61B5/11 ,  G01L1/16 ,  H10N30/045 ,  H10N30/078 ,  H04R17/00 ,  H04R17/02

Abstract: 本发明所解决的技术问题在于：提供一种具有良好的压电性的压电膜。上述技术问题能够通过包含偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物膜且剩余极化量为40mC/m2以上的压电膜解决。

公开(公告)号：CN108886090B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201780020152.X

申请日：2017-03-28

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 小谷哲浩 ,  酒见沙织 ,  相模宽之 ,  山田贵哉 ,  尾藤慎也 ,  向井惠吏 ,  金村崇

IPC: H01L41/193 ,  B32B27/30 ,  H01L41/113

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种双压电晶片型压电膜，该双压电晶片型压电膜能够提供不容易受到因温度变化而引起的热电噪声的影响的压敏传感器等。本发明所提供的双压电晶片型压电膜包括：在面内方向上具有压电各向异性的第一热电膜；和在面内方向上具有压电各向异性的第二热电膜，上述第一热电膜和上述第二热电膜以因温度上升而产生相同极性的电荷的面分别处于外侧的方式配置。