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公开(公告)号：CN110071427B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910043691.6
申请日：2013-12-27
IPC: H01T19/04 , C08J7/12 , G01N21/84 , G01N21/896
Abstract: 本发明提供一种极化树脂膜的制造方法和制造装置。上述极化树脂膜的制造方法包括：工序A，通过使用在与接地电极之间施加有施加电压的第一电极的电晕处理，使直接载置于上述接地电极上的非极化树脂膜带电，通过静电将上述非极化树脂膜贴附于上述接地电极上；和工序B，通过使用在与上述接地电极之间施加有施加电压的第二电极的电晕处理，使贴附于上述接地电极上的非极化树脂膜极化。
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公开(公告)号：CN110071427A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910043691.6
申请日：2013-12-27
IPC: H01T19/04 , C08J7/12 , G01N21/84 , G01N21/896
Abstract: 本发明提供一种极化树脂膜的制造方法和制造装置。上述极化树脂膜的制造方法包括：工序A，通过使用在与接地电极之间施加有施加电压的第一电极的电晕处理，使直接载置于上述接地电极上的非极化树脂膜带电，通过静电将上述非极化树脂膜贴附于上述接地电极上；和工序B，通过使用在与上述接地电极之间施加有施加电压的第二电极的电晕处理，使贴附于上述接地电极上的非极化树脂膜极化。
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公开(公告)号：CN104884942A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068407.1
申请日：2013-12-27
IPC: G01N21/892 , C08J7/00
CPC classification number: H01T19/04 , C08J7/123 , C08J2327/16 , G01N21/8422 , G01N21/896 , G01N2021/8965
Abstract: 本发明提供一种极化偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物树脂膜，其极大地降低了用作光学膜时的、由显示元件产生的影像或图像的质量的劣化。本发明提供一种极化偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物树脂膜，其通过后述的缺陷测定方法测得的点状缺陷的数量为2,000个/m2以下。＜缺陷测定方法＞使用外观检查机，按照能够以相对于LED光源为45度的角度检测缺陷的方式设置CCD摄像机，一边在其下方以20m/分钟的速度进行扫描，一边在宽度方向(相对于扫描的行进方向成直角的方向)300mm、流动方向(扫描的行进方向)150mm的长方形的范围内读取膜的缺陷。就缺陷而言，首先选定明面积为1.5mm2以下且暗面积为1.4mm2以下的缺陷。接着，为除去这些缺陷中所含的、除电晕处理以外的原因的缺陷，以具有沿着扫描的行进方向的2边的方式设定缺陷的外接矩形，仅将外接宽度为2.88mm以下、外接长度为2.3mm以下、纵横比率为－3.9～+2.7、外接矩形中的占有面积比率为4,000～6,950、且面积比率为-3,100～+5,200的缺陷作为点状缺陷，利用外观检查机自动地对其个数进行计数。
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公开(公告)号：CN104884942B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201380068407.1
申请日：2013-12-27
IPC: G01N21/892 , C08J7/00
Abstract: 本发明提供一种极化偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物树脂膜，其极大地降低了用作光学膜时的、由显示元件产生的影像或图像的质量的劣化。本发明提供一种极化偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物树脂膜，其通过后述的缺陷测定方法测得的点状缺陷的数量为2,000个/m2以下。＜缺陷测定方法＞使用外观检查机，按照能够以相对于LED光源为45度的角度检测缺陷的方式设置CCD摄像机，一边在其下方以20m/分钟的速度进行扫描，一边在宽度方向(相对于扫描的行进方向成直角的方向)300mm、流动方向(扫描的行进方向)150mm的长方形的范围内读取膜的缺陷。就缺陷而言，首先选定明面积为1.5mm2以下且暗面积为1.4mm2以下的缺陷。接着，为除去这些缺陷中所含的、除电晕处理以外的原因的缺陷，以具有沿着扫描的行进方向的2边的方式设定缺陷的外接矩形，仅将外接宽度为2.88mm以下、外接长度为2.3mm以下、纵横比率为－3.9～+2.7、外接矩形中的占有面积比率为4,000～6,950、且面积比率为‑3,100～+5,200的缺陷作为点状缺陷，利用外观检查机自动地对其个数进行计数。
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公开(公告)号：CN108886088A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020474.4
申请日：2017-03-27
IPC: H01L41/087 , G01L1/16 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/193 , H01L41/45
CPC classification number: G01L1/16 , H01L41/087 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/193 , H01L41/45
Abstract: 本发明的压电线的特征在于，其具备导电性线(11)和被覆导电性线(11)的高分子压电体层(12)，高分子压电体层(12)含有β型聚偏氟乙烯系共聚物，导电性线(11)的线径为1.0mm以下。另外，上述β型聚偏氟乙烯系共聚物优选为选自偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物以及偏氟乙烯‑四氟乙烯共聚物中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113652043A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110940092.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 大金工业株式会社
Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为‑8％～+8％，该膜包含熔点为180℃以上的含氟聚合物，且该含氟聚合物包含全部共聚单元的10摩尔％～49摩尔％的偏二氟乙烯单元。变化率(％)＝(B－A)/A×100。
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公开(公告)号：CN108886090A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020152.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L41/193 , B32B7/02 , B32B27/30 , H01L41/113
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/30 , H01L41/113 , H01L41/193
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种双压电晶片型压电膜，该双压电晶片型压电膜能够提供不容易受到因温度变化而引起的热电噪声的影响的压敏传感器等。本发明所提供的双压电晶片型压电膜包括：在面内方向上具有压电各向异性的第一热电膜；和在面内方向上具有压电各向异性的第二热电膜，上述第一热电膜和上述第二热电膜以因温度上升而产生相同极性的电荷的面分别处于外侧的方式配置。
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公开(公告)号：CN107835830A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680041174.X
申请日：2016-07-13
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08J5/18 , C08F214/22 , H01G4/18
CPC classification number: C08J5/18 , C08F214/22 , C08F214/26 , C08J2327/18 , H01G4/18 , H01G4/32 , H01G4/33 , H01L41/193 , H01L41/257
Abstract: 提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为-8％～+8％。变化率(％)＝(B－A)/A×100。
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公开(公告)号：CN103354914A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201280008103.1
申请日：2012-02-08
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: H01B3/445 , B01L3/502707 , B01L3/502792 , B01L2300/161 , B01L2400/0427 , C08J5/18 , C08J2327/16 , G02B26/005
Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供能够以低电压驱动导电性液体的电润湿用疏水性电介质膜。该电润湿用疏水性电介质膜含有偏二氟乙烯系聚合物。
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公开(公告)号：CN1933923A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009081.0
申请日：2005-03-09
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: C08F114/22 , B32B27/30 , C08F8/00 , C08F8/14 , C08F8/42 , C08F2810/30 , C08F2810/40 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544
Abstract: 本发明涉及偏氟乙烯均聚物薄膜的形成方法，该方法利用比较简单的方法(涂布条件、方法等)来提供可以适用于各种基材的I型结晶结构的末端为功能性官能团的偏氟乙烯均聚物的薄膜。本发明的方法是含有偏氟乙烯均聚物的薄膜的形成方法，在该形成方法中，将在一个末端或两个末端具有式(1)：－(R1)n－Y(1)(式中，R1为2价有机基团，但是不含偏氟乙烯均聚物的结构单元，n为0或1，Y为功能性官能团)所示的部位且偏氟乙烯均聚物单元的数均聚合度为3～100的偏氟乙烯均聚物应用于基材，形成含有完全为I型结晶结构的偏氟乙烯均聚物或含有以I型结晶结构为主要成分的偏氟乙烯均聚物的薄膜的偏氟乙烯均聚物的薄膜。
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