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公开(公告)号：CN104568865B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410539344.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。
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公开(公告)号：CN106537906A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038421.6
申请日：2015-07-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。
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公开(公告)号：CN102737723B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210106127.2
申请日：2012-04-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G11C13/0007 , G11C29/52 , G11C2013/0073 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现一种半导体存储设备，其能够有效地执行在连续的读取动作中会可能发生的数据错误的检测和所述错误数据的校正。所述半导体存储设备(1)使用由金属氧化物制成的可变电阻元件以用于存储信息。在所述半导体存储设备(1)中采用ECC的编码数据的读取动作期间，当通过ECC电路(106)检测数据错误时，假设由于具有与所施加的读取电压脉冲的极性相同的极性的写入电压脉冲的施加而导致已经发生错误写入，具有与读取电压脉冲的极性相反的极性的写入电压脉冲被施加到从其中检测到错误的所有存储单元，以便校正从其中检测到错误的位。
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公开(公告)号：CN104586355A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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公开(公告)号：CN102227778B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980147210.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C7/1006 , G11C8/10 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2213/79
Abstract: 提供一边能够以位单位进行改写，一边可实现存储器单元的寿命的延长的非易失性半导体存储装置。在命令信息表示写入的情况下，比较部（37）对在对象存储器单元中写入的已写入数据和写入对象数据进行比较，将比较结果赋予到写入/读出控制部（40），在比较结果相同的情况下，所述写入/读出控制部（40）对译码器部（51A、51B、53）不赋予写入指示，在所述比较结果相异的情况下，所述写入/读出控制部（40）对所述译码器部赋予对对象存储器单元将写入对象数据写入的写入指示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102420013B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110285490.0
申请日：2011-09-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097
Abstract: 半导体存储器设备，其中不管作为写入动作（擦除和编程动作）的目标的存储器单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将可变电阻元件的电阻状态带入具有最低电阻值的擦除状态的擦除电压脉冲。此后，向编程动作目标存储器元件的可变电阻元件施加将可变电阻元件的电阻状态带入所需编程状态的编程电压脉冲。通过总是在施加擦除电压脉冲之后施加编程电压脉冲，可以避免连续地施加多个编程电压脉冲。而且，存储器单元阵列由偶数个子组块构成，且交替地执行一个子组块中擦除电压脉冲的施加和另一子组块中编程电压脉冲的施加。
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公开(公告)号：CN102194524B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110064421.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人金泽大学
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置（101）设有：位线电压调整电路（25），针对位线的每一条，将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位；以及数据线电压调整电路（27、28），针对数据线的每一条，将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路（25、27、28）分别包括运算放大器和晶体管，对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压，并且，该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线，由此，该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。
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公开(公告)号：CN102737723A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210106127.2
申请日：2012-04-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G11C13/0007 , G11C29/52 , G11C2013/0073 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现一种半导体存储设备，其能够有效地执行在连续的读取动作中会可能发生的数据错误的检测和所述错误数据的校正。所述半导体存储设备(1)使用由金属氧化物制成的可变电阻元件以用于存储信息。在所述半导体存储设备(1)中采用ECC的编码数据的读取动作期间，当通过ECC电路(106)检测数据错误时，假设由于具有与所施加的读取电压脉冲的极性相同的极性的写入电压脉冲的施加而导致已经发生错误写入，具有与读取电压脉冲的极性相反的极性的写入电压脉冲被施加到从其中检测到错误的所有存储单元，以便校正从其中检测到错误的位。
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公开(公告)号：CN102420014A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110285501.5
申请日：2011-09-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 所提供的是一种半导体存储设备，其能在随机存取编程动作中以期望的可控性稳定地编程到期望的电阻状态，并且配备有可变电阻元件。不管作为写动作(擦除动作和编程动作)的目标的存储单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到具有最小电阻值的被擦除状态的擦除电压脉冲。此后，用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到期望的被编程状态的编程电压脉冲被施加到所述编程动作目标存储单元的所述可变电阻元件。通过在已经施加了所述擦除电压脉冲之后一直施加所述编程电压脉冲，能够避免被顺序地施加的多个编程电压脉冲。
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公开(公告)号：CN102820063B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210187984.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明实现在长期间的数据保持特性上优越且能高效地进行读出时的数据的错误检测和纠正的半导体存储装置。在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置（1）中，将在使该可变电阻元件转变成高电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的高电阻状态的电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内。具体地说，设定在伴随着使该电压振幅上升，转变后的高电阻状态的电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且，在利用ECC电路（106）检测出数据错误的情况下，视为本来应是低电阻状态的数据变化成了高电阻状态，将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态，对检测出错误的位进行纠正。
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