公开(公告)号：CN106887489A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611167309.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泽村诚 ,  山本秀一郎 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。

公开(公告)号：CN106169527A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610341825.9

申请日：2016-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/0066

Abstract: 本发明以低成本提供与作为氮化物半导体层的生长用衬底使用单晶蓝宝石衬底的情况相比元件特性维持现状或比现状提高的氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在衬底之上的基底层；和设置在衬底之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构。基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。

公开(公告)号：CN102144342A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134707.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  麦华路巴武吕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。

公开(公告)号：CN1909311A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108428.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 花冈大介 ,  石田真也 ,  高谷邦启 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/022 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。