公开(公告)号：CN109310872A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780029063.1

申请日：2017-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次 ,  佐藤浩哉 ,  吉本孝志 ,  森淳

IPC: A61N5/06

Abstract: 光治疗装置(100)具备：光照射模组(4)，其照射用于治疗的光；及间隔物(3)，其配置在光照射模组(4)的光射出侧，并与身体的表面接触而将光照射模组(4)与身体的表面上的治疗对象部(2)的距离保持为一定，在间隔物(3)中的与身体的表面接触的面，形成用于避免治疗对象部(2)与间隔物(3)的接触的间隔物开口部(31)。

公开(公告)号：CN107924966A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580046876.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  花本哲也 ,  渡边昌规 ,  栗栖彰宏 ,  井口胜次 ,  柏原博之 ,  井上知也 ,  浅井俊晶 ,  渡边浩崇

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

公开(公告)号：CN107249688A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680010256.8

申请日：2016-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次 ,  森淳 ,  中西彻

IPC: A61N5/06

Abstract: 提供一种简便的光照射装置，其于具有弯曲面的患部也能够均匀照射，可以抑制由光照射造成的过度的加热。光照射装置(10)具备覆盖皮肤(1)的患部(2)的高分子凝胶层(3)、密接于高分子凝胶层(3)上的LED保护层(6)与密接于LED保护层(6)上且排列配置有LED(4)的基板(5)。点亮LED(4)的电流控制装置(8)会控制照射强度，于到达必要的照射量时，停止照射。

公开(公告)号：CN110412600B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910340310.0

申请日：2019-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次

IPC: G01S17/08 ,  G01S17/10 ,  G01S7/481 ,  G01S7/486

Abstract: 本发明实现一种能够进行长距离测量且成本降低了的非机械扫描式光雷达装置。该光雷达装置(100)包括点状光照射部(110)和受光系统(140)，该受光系统(140)至少具有成像光学元件(151)和带有受光部(154)的距离传感器(153)，利用像光学元件(151)将对象视野(10)投影到受光部(154)上，所述距离传感器对应于点状光(1)的扫描，在受光部(154)的局部设定活性化区域(5)，使用来自活性化区域(5)的信号测量到对象物(3)的距离。

公开(公告)号：CN111667777B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202010147906.1

申请日：2020-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 前川真澄 ,  青木仁志 ,  石尾俊也 ,  井口胜次

IPC: G09F9/33 ,  G02B27/01 ,  H01L25/16 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种抑制颜色转换效率降低的图像显示元件。图像显示元件包括：将LED元件(100)发出的光源光转换为长波长光并射出的波长转换层(22、23)；设置在波长转换层(22、23)的光源光的光射入面侧并反射长波长光的第二功能层(28)；以及设置在波长转换层(22、23)的光射出面侧并反射光源光而使长波长光透射的第一功能层(25)。

公开(公告)号：CN110501818B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201910390839.3

申请日：2019-05-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次

IPC: G03B35/20 ,  G09F19/18

Abstract: 本发明提供能够以高分辨率且明亮显示较小对象物的高精度立体图像的立体显示装置。包括包含显示元件(DE＜a，b＞)和投影光学元件(PO＜a，b＞)的多个微型投影仪(MP＜a，b＞)及微透镜阵列(MLA)，各微型投影仪(MP＜a，b＞)将显示元件(DE＜a，b＞)显示的显示图像穿过投影光学元件(PO＜a，b＞)向微透镜阵列(MLA)投影，显示元件(DE＜a，b＞)包含驱动电路基板和在上述驱动电路基板的一方侧的表面形成的多个微型发光元件。

公开(公告)号：CN110064132B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910353511.4

申请日：2016-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次 ,  河西秀典 ,  森淳 ,  中西彻

IPC: A61N5/06

Abstract: 光照射用基板(1)，是具备具有柔性基板(11)的可互相切离开来的多个单元基板(10)。一部分的单元基板(10)，具有一对外部连接部(21)。在柔性基板(11)的第一面在每个单元基板(10)设置LED芯片(13)与配线(12)，在第二面横跨单元基板(10)设置背面配线(19)。

公开(公告)号：CN107924966B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201580046876.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  花本哲也 ,  渡边昌规 ,  栗栖彰宏 ,  井口胜次 ,  柏原博之 ,  井上知也 ,  浅井俊晶 ,  渡边浩崇

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

公开(公告)号：CN111863854A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010313319.5

申请日：2020-04-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  G09G3/32

Abstract: 本发明减少微型发光元件的串扰，提高发光效率。图像显示元件(200)由以氮化物半导体(14)的侧面相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射材料(20)覆盖，波长转换部(32、33)由隔壁(34)包围侧方，隔壁(34)的面向波长转换部(32、33)的侧面成为以相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射面。

公开(公告)号：CN110867158A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910735809.1

申请日：2019-08-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/20

Abstract: 提供一种能够修复驱动电路基板的缺陷像素，并且能够替换有问题的微型LED的技术。图像显示元件中，像素(2)至少配置有两组与微型LED(100)的一对电极(30、31)连接且连接到像素驱动电路(3)的一对布线,像素驱动电路(3)具有向微型LED(100)提供电流的第一驱动电路(DC)和代替第一驱动电路(DC)的第二驱动电路(RDC),像素驱动电路(3)还具有使所述一对布线之间短路的开关元件(TTr)。