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公开(公告)号：CN118684280A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410871459.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G53/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明属于高熵金属硫化物制备技术领域，涉及一种MS2型高熵金属硫化物的制备及其在二次电池中的应用，MS2型高熵金属硫化物具有立方黄铁矿结构，金属元素选自Cr、Fe、Mn、Ni、Co、Zn、Cu、Al、Ga、In、Bi、Eu、Zr、Pb、Cd、Nb中的至少五种。制备方法包括：首先将金属盐、甘油、第一醇类化合物混合，进行溶剂热反应，之后与第二醇类化合物、硫源混合，再进行溶剂热反应，得到。与现有技术相比，本发明具有制备工艺简单可控，成本低廉，易重复，绿色环保等优点；同时所得产品具有规整的形貌、较大的熵值及优异的离子电子导电性的特点，经测试该材料在锂/钠离子电池中具有优异的电化学性能，在未来锂/钠离子电池中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118057645A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211452439.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 复旦大学 , 隆能科技(南通)有限公司
IPC: H01M10/0566 , H01M10/0567 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种低温可用的锂离子电池电解液及其制备方法、锂离子电池。该电解液包括溶剂、可溶锂盐和稀释剂；所述的溶剂包括氟代酸酯，所述的稀释剂包括氟代醚或氟代烃。锂离子电池包括负极片、正极片、隔膜以及低温可用的锂离子电池电解液。与现有技术相比，本发明所得的低温锂离子器件由于使用所述低温电解液，相比六氟磷酸锂与碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯的二元溶剂相溶的商用电解液，具有更高的离子电导率，并且使用低熔点、难溶剂化的氟代醚类稀释剂降低电解液粘度，进一步改善了低温下电解液中离子迁移速率。因此使用本发明所得低温电解液在充放电过程中可显著改善锂离子器件在低温下的放电性能，在温度低至‑40℃时可释放出常温下60％的容量。
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公开(公告)号：CN109103449B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201810821489.7
申请日：2018-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/52 , H01M4/48 , H01M10/0525 , C01G51/00
Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种锗基过渡金属氧化物CoGeO3介孔球的制备方法。本发明以二氧化锗、钴盐为原料，表面活性剂作为辅助，通过水热反应合成由纳米片堆叠形成的CoGeO3介孔球材料。本发明方法工艺简单，操作方便，制得的材料形貌独特，能够有效克服锗基过渡金属氧化物材料在充放电过程中因体积膨胀造成的电极损坏，稳定性下降的问题。制备的材料可广泛应用于二次离子电池领域。
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公开(公告)号：CN106910891A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710127253.9
申请日：2017-03-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种过渡金属氟化物负载硼掺杂纳米碳材料的制备方法。本发明方法以过渡金属氟化物、硼氢化物和纳米碳材料作为原材料,通过球磨和加热,即可制得过渡金属氟化物负载硼掺杂纳米碳复合材料。该方法具有低成本，高效率，经济环保，普适性强等特点。
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公开(公告)号：CN102583245A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210033699.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B6/24
Abstract: 本发明属于氢气存储技术领域，具体为一种改善过渡金属硼氢化物储氢性能的方法。该方法为利用机械球磨法在过渡金属硼氢化物储氢材料中掺杂少量的氨基化合物来抑制杂质气体形成和降低分解温度。具体是在隔绝空气条件下，将氨基化合物和过渡金属硼氢化物的混合物装入不锈钢球磨罐中，在真空、惰性或者氢气氛下，采用低速机械球磨方法将混合物均匀混合。利用本发明方法改善过的过渡金属硼氢化物可在95–150℃释放出大于5wt%的纯氢气，是一种性能优良的储氢材料，与低温燃料电池相配对将在氢动力电源系统方面有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101538673A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810203600.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种欠计量Laves相储氢合金及其制备方法，合金化学通式为：TiuZrxMnvMyVz，其中0≤x≤0.2，0.1≤y≤0.4， 0.1≤z≤0.5，u+x＝1，v+y＝1.5；最佳范围0.1≤y≤0.2， 0.1≤z≤0.3；M元素选自Cr、Ni、Cu中的一种；制备方法为：将合金按配比称取块状纯金属，在氩气保护下的磁悬浮高频感应炉进行熔炼，反复熔炼2～3次，所得铸态合金在950℃～1050℃高温和惰性气体保护下退火6～8天。本发明的优点：具有储氢量大，滞后小，平台区长等良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN100487827C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610025887.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M-TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M-TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M-TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5-6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。
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公开(公告)号：CN101290302A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710045942.1
申请日：2007-09-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于纳米与气敏传感器技术领域，具体涉及一种场效应管的微腔气敏传感器。该传感器采用在微腔内基于单根金属氧化物纳米线的气敏芯片设计，其中，纳米线材料可以是ZnO、SnO2、TiO2或In2O等。本发明的气敏传感器灵敏度高、响应速度快，无需外加热历而功耗小；可利用栅极电压来调制灵敏度和选择性；便于与其它分离装置结合作选择性探测。可用于O2、NO2、CO、H2、甲醛和酒精等气体的检测。
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公开(公告)号：CN1845263A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610025887.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M－TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M－TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M－TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5－6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。
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