公开(公告)号：CN109103449A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810821489.7

申请日：2018-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宋云 ,  孙大林 ,  高润华 ,  刘汉鼎

IPC: H01M4/52 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种锗基过渡金属氧化物CoGeO3介孔球的制备方法。本发明以二氧化锗、钴盐为原料，表面活性剂作为辅助，通过水热反应合成由纳米片堆叠形成的CoGeO3介孔球材料。本发明方法工艺简单，操作方便，制得的材料形貌独特，能够有效克服锗基过渡金属氧化物材料在充放电过程中因体积膨胀造成的电极损坏，稳定性下降的问题。制备的材料可广泛应用于二次离子电池领域。

公开(公告)号：CN109103449B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201810821489.7

申请日：2018-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宋云 ,  孙大林 ,  高润华 ,  刘汉鼎

IPC: H01M4/52 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种锗基过渡金属氧化物CoGeO3介孔球的制备方法。本发明以二氧化锗、钴盐为原料，表面活性剂作为辅助，通过水热反应合成由纳米片堆叠形成的CoGeO3介孔球材料。本发明方法工艺简单，操作方便，制得的材料形貌独特，能够有效克服锗基过渡金属氧化物材料在充放电过程中因体积膨胀造成的电极损坏，稳定性下降的问题。制备的材料可广泛应用于二次离子电池领域。