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公开(公告)号：CN116417661A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111642012.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种簇笼状金属硼氢化物固态电解质的制备方法。本发明以金属硼氢化物与无机氧化剂粉末为原料，通过磨碎混合得到前驱体；在惰性气体氛围中，经高温热处理，使还原性较强的金属硼氢化物和非金属氧化剂发生反应，生成还原性稍弱的簇笼状金属硼氢化物，记为M‑B‑H‑X；X为S、P或Se等无机物，M为Li、Na、K、Ca、Zn、Mg、Cs或Rb等金属元素。本发明具有普适性，且生产过程能耗小、成本低廉，克服了传统制备簇笼状金属硼氢化物电解质需要高温高压以及昂贵原料的缺点。制备的电解质近室温下具有较高的离子电导与较宽的电化学窗口，可用于制备全固态碱金属电池、稳定固态电解质‑电极界面层等诸多方面。
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公开(公告)号：CN109103449A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810821489.7
申请日：2018-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/52 , H01M4/48 , H01M10/0525 , C01G51/00
Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种锗基过渡金属氧化物CoGeO3介孔球的制备方法。本发明以二氧化锗、钴盐为原料，表面活性剂作为辅助，通过水热反应合成由纳米片堆叠形成的CoGeO3介孔球材料。本发明方法工艺简单，操作方便，制得的材料形貌独特，能够有效克服锗基过渡金属氧化物材料在充放电过程中因体积膨胀造成的电极损坏，稳定性下降的问题。制备的材料可广泛应用于二次离子电池领域。
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公开(公告)号：CN108232192A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711394162.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域，具体为一种锂离子电池用负极材料NiCo2S4纳米六角片及其制备方法。本发明的锂离子电池用负极材料为双元过渡金属硫化物NiCo2S4纳米六角片，该材料采用共沉淀法和气相硫化法制备，NiCo2S4纳米六角片边长约1.35μm，厚度约30nm。该负极材料表现出优异的电化学性能：具有高比容量和稳定的循环性能，是优异的锂离子电池用负极材料。而且，该材料还可广泛用于钠离子电池、超级电容器、光催化或太阳能电池等。制备方法具有较好的普适性，制备过程简单，可重复性好，克服了传统硫化物合成方面存在的工艺复杂、可重复性差、低产、对环境存在污染等缺点。
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公开(公告)号：CN117613261A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429264.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 复旦大学 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01M4/58 , H01M10/052 , C01F5/00 , G02F1/01
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，具体为一种自支撑氢化物薄膜及其制备方法。本发明制备方法包括：将氢化物在特定气氛中通过球磨进行表面钝化处理；将钝化处理的氢化物和胶合剂在第一溶剂中混合均匀得到前驱体溶液，并以一定厚度涂覆在衬底上；最后利用第二溶剂将其从衬底剥离得到自支撑的氢化物薄膜，通过改变前驱体溶液的比例及涂覆厚度可以调控氢化物薄膜的厚度及载量。本发明不需要高真空/惰性气氛保护，工艺兼容性高，成本低廉；不需要溶解牺牲层即可实现从基板剥离薄膜；所获得的自支撑薄膜可灵活便捷地用于氢致变色智能器件和能量存储/转换等多种领域。本发明解决了氢化物不能在空气中稳定存在的问题，扩大了氢化物的应用范围。
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公开(公告)号：CN114864901A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210557020.3
申请日：2022-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/36
Abstract: 本发明属于储能电池技术领域，具体为一种双载流子传导的全固态电池电极材料及其制备方法。本发明的全固态电池电极材料，由电极活性材料与二维材料过渡金属碳化物/氮化物MXene（如Ti3C2Tx、Nb3C2Tx、V2CTx等）组合，采用高能球磨法制备得到；将这种复合材料直接应用于全固态电池电极，无其他导电碳、电解质的引入。其中，二维材料作为多功能离子/电子导体，替代传统复合固态电池电极中的导电碳、电解质，以避免电极内部的界面问题；并且二维材料可以缓解电极材料的体积效应。本发明制备方法工艺简单、操作方便；制备产物能量密度高、电化学性能优异，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109136847A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810807194.4
申请日：2018-07-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体为超吸收Ag‑Au纳米结构表面复合薄膜及其制备方法。本发明首先采用常规镀膜方法，在衬底上依次生长Ag、Al2O3以及Ag；随后进行一次退火处理；冷却至室温后，再生长一层Au膜，并进行二次退火；其中，最外层的金属膜经退火后形成Ag‑Au纳米颗粒。本发明通过两次退火过程，使薄膜应力发生变化形成岛状结构，制备出不同形貌的金属颗粒。其中，最外层的金属膜经退火后成为Ag‑Au纳米颗粒，可增强对光的吸收能力。本发明制备的复合薄膜可以作为表面增强拉曼散射的基底，具有吸收能力强、吸光范围广、稳定性好、均匀性好、寿命长等特点，可用于多种生物化学物质的检测。
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公开(公告)号：CN108585055A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810515175.4
申请日：2018-05-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种过渡金属钒硫化物MV2S4的制备方法。本发明采用共沉淀法合成MV2O4前驱体，采用气相硫化工艺制备MV2S4纳米颗粒。制备的MV2S4材料可广泛应用于二次电池、超级电容器、电催化等领域。本发明方法具有产物相纯度高、普适性强、能耗小和工艺简单等特点，克服了传统制备MV2S4需要长时间高温硫化的缺点，可以广泛应用于一些钒硫化物材料的合成。
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公开(公告)号：CN108557896A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810411163.7
申请日：2018-05-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种过渡金属锑硫化物的制备方法。本发明以无机过渡金属盐、无机锑盐和碱源为原料，通过共沉淀反应制备MSbOx前驱体；在硫源的存在下，通过气固体反应，在热力学驱动下使S原子扩散入MSbOx晶格，转变成过渡金属锑硫化物纳米颗粒，记为MSbS。本发明方法产物相纯度高，普适性强，能耗小和工艺简单，克服了传统制备MSbS需要长时间高温硫化的缺点。制备的材料可广泛应用于二次电池、热导材料、光探测器池等领域。
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公开(公告)号：CN107055591A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710297841.7
申请日：2017-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G15/00
CPC classification number: C01G15/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/40
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种半导体CuGaS2六边形片状纳米晶体的制备方法。本发明采用水热法合成出边长为2~5微米、厚度在300纳米以内的CuGaO2六边形片状晶体，用硫化的工艺硫化成四方晶系的CuGaS2六边形片状晶体。该材料可广泛用于电池、光探测器、光催化或太阳能电池等。该工艺具有很好的普适性，生产过程简单、环保，克服了传统硫化物合成方面存在的工艺复杂、低效、低产、对环境存在污染等缺点，该制备方法可以广泛应用于一些硫化物材料的合成。
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公开(公告)号：CN102774808A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210238683.5
申请日：2012-07-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种无基板Mg基储氢薄膜及其制备方法。制备步骤包括：在基板上旋涂光刻胶牺牲层，再依次磁控溅射沉积TM/Mg基/TM多层功能储氢薄膜，溶解光刻胶牺牲层从衬底上剥离储氢功能薄膜，离心洗涤并在真空室温环境下干燥获得新型纳米结构的Mg基储氢材料。本方法制备的无基板Mg基储氢薄膜材料改善了现有方法中基板与薄膜间应变引起的薄膜破裂、脱落等情况，并且将有效含氢量所占体系质量从0.0025%最高提升至7.4%。此外，无基板Mg基储氢薄膜材料具有强抗氧化能力和低脱氢温度，并能在近室温条件实现可逆加氢反应。
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