公开(公告)号：CN100487827C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200610025887.5

申请日：2006-04-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国荣 ,  郑凯波 ,  沈浩颋 ,  叶春暖 ,  莫晓亮 ,  姚彦 ,  孙大林

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/12

Abstract: 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M-TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M-TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M-TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5-6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。

公开(公告)号：CN1845263A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610025887.5

申请日：2006-04-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国荣 ,  郑凯波 ,  沈浩颋 ,  叶春暖 ,  莫晓亮 ,  姚彦 ,  孙大林

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/12

Abstract: 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M－TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M－TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M－TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5－6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。