一种室温条件下制备片状Cu纳米晶的方法

    公开(公告)号:CN108620601A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810454068.5

    申请日:2018-05-14

    Abstract: 本发明涉及片状结构Cu纳米晶的制备方法,属于金属纳米材料合成方法的技术领域。本发明采用液相化学还原法,制备过程包括:配置体积为前驱物硫酸铜溶液提供Cu源,加入碳酸钠粉末提高溶液PH值,加入络合剂柠檬酸钠,加入添加剂溴化钾定向吸附控制纳米晶的生长,加入抗坏血酸室温搅拌。本发明操作简单,实现了室温条件下片状Cu纳米晶的制备,有益于低成本制备;所使用的添加剂具有水溶性可通过简单的方法清除,有益于保持Cu纳米晶的活性。

    一种类球状氯硫化铁锂离子电池负极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN119118206A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202410904806.7

    申请日:2024-07-07

    Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域,公开了一种类球状氯硫化铁锂离子电池负极材料的制备方法。该方法通过将氯化铁与硫化钠或硫代乙酰胺按一定的比例在水中混合,然后加入一定量的表面活性剂,待混合均匀后将其转入高压釜中,加热并保温一段时间,对产物进行过滤,洗涤,干燥等操作,即得类球状氯硫化铁锂离子电池负极材料。本公开方法制备的类球状氯硫化铁锂离子电池负极材料形貌呈现似圆球状,在0.2A/g的电流密度下首效高达77%,第一圈放电比容量达到1554mAh/g。本发明制备方法简单、可重复性好且成本低廉。得到的类球状氯硫化铁锂离子电池负极材料解决了传统合金类锂离子电池负极材料存储量少、价格昂贵、理论比容量低、毒性高等问题。

    一种三角片Cu30Au70合金纳米晶的制备方法

    公开(公告)号:CN116921690A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310926519.1

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种三角片Cu30Au70合金纳米晶的制备方法,主要包括:将氯化铜与氯金酸溶液按照比例混合,加入KBr粉末,生成三角片CuBr并用作模板;加入还原剂,消耗模板,生成三角片Cu30Au70纳米晶。所得产物属于合金固溶体。三角片结构的厚度为100纳米左右,比表面积大,尺寸效应明显。整个制备时间仅需1小时左右,制备过程未使用有机表面活性剂以及强酸强碱等有毒物质。本发明的关键在于精准控制三角片CuBr消耗的速率,避免三角片结构坍塌。相应的,本发明还公开了一种三角片Cu30Au70合金纳米晶,由上述公开的制备方法所得。

    一种鱼骨形CuBr纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN116873968A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310664055.1

    申请日:2023-06-07

    Abstract: 本发明公开一种鱼骨形CuBr纳米晶及其制备方法,制备包括:室温下将CuCl2溶液与盐酸溶液按比例混合;按照一定剂量比加入KBr粉末和抗坏血酸溶液;超声反应10‑20分钟;所得白色沉淀经过固液分离,清洗烘干后即为鱼骨形CuBr纳米晶。相比于其他制备方法,本发明的制备不需要加热,合成时间短,仅10‑20分钟可快速获得目标产物,整个制备不需要充入气体保护。相比于同类CuBr,本发明提供的鱼骨形CuBr抗氧化性高,存储与运动壶成本低。此外,鱼骨形结构不易团聚具,比表面积较高,有助于CuBr在光催化领域的应用。

    一种CuPd合金纳米晶的制备及其组分调控方法

    公开(公告)号:CN113814408B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202111171249.5

    申请日:2021-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种CuPd合金纳米晶的制备及其组分调控方法,合成方法主要包括:配置可溶性铜盐,加入氯化钾粉末,在高温环境下搅拌均匀后得到混合1;将氯化钯粉末溶于盐酸溶液,高温溶解后加入到混合液1中;加入抗坏血酸溶液,高温搅拌反应5‑6小时。组分调控方法为:调节反应液中盐酸与氯化钯粉末的用量控制合金中Cu与Pd的原子百分比。本方法以水为溶剂,无气体保护下进行,操作方案简单,合成中未添加有机表面活性剂。组分调控的方法将为CuPd合金纳米晶的应用提供了更广阔的空间。

    一种高介电PI/PVDF复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114736408A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210298742.1

    申请日:2022-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种高介电的聚酰亚胺/聚偏二氟乙烯(PI/PVDF)复合薄膜制备方法。首先通过4,4’‑二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备出PI的前驱体,然后将PVDF分批添加到PI前驱体中,并在80‑200摄氏度的温度范围内进行低温热亚胺化。该方法可以避免高温处理使PI与PVDF相分离而引入孔洞,是制备出兼顾高介电常数和高介电强度的PI/PVDF复合薄膜有效方法。与传统高温(200摄氏度以上)热亚胺化制备的纯PI薄膜相比,在测试频率为1000赫兹时,质量分数为百分之15的PI/PVDF复合薄膜的相对介电常数可达4.68,是纯PI的1.51倍;储能密度为2.68焦耳/立方厘米,是纯PI的1.49倍。

    一种CuBr纳米线及其制备方法

    公开(公告)号:CN114427113A

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202210017333.X

    申请日:2022-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种CuBr纳米线及其制备方法,制备方法主要包括:将CuCl2溶液与Na2PdCl4溶液按比例混合;按照一定剂量比加入KBr粉末并进行预加热;再按比例加入抗坏血酸溶液,在预设温度下快速搅拌反应5‑6小时;得到的产物经固液分离即为CuBr纳米线成品。制备过程中通过引入Pd离子可有效辅助CuBr纳米晶种生长为纳米线形貌。相比于同类制备方法,本发明所提供的方法对设备要求低、易于产业化生产。此外,各向异性的纳米线形貌将有益于CuBr材料性能的拓展与提升。

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