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公开(公告)号：CN105177718A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510354323.5
申请日：2015-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作六边角锥体的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混合溶液A高温湿法刻蚀，然后用去离子水冲洗圆锥形图形化蓝宝石片，再氮气吹干，即得六边角锥体图形化蓝宝石。本发明的六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法能有效地将圆锥形图形化蓝宝石转化为六边角锥体图形化蓝宝石，且生成的六边角锥体图形化蓝宝石规则有序，重复性好。且采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于蓝宝石的制备领域。
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公开(公告)号：CN102500573B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110350729.8
申请日：2011-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种α-Al2O3单晶的清洗方法，涉及α-Al2O3单晶的清洗方法。解决因α-Al2O3单晶表面吸附性强、表面性质稳定，不易溶解，导致现有α-Al2O3单晶的清洗方法难以将表面污染物清洗干净的问题。对α-Al2O3单晶依次采用乙醇和表面活性剂浸泡预处理后，然后依次在浓硫酸和双氧水混合液，氨水、双氧水和水混合液，以及浓盐酸、双氧水和水混合液中热浸泡处理即可。本发明的α-Al2O3单晶的清洗方法是一种多步骤的湿化学清洁方法，能有效地将α-Al2O3单晶表面污染物清洗干净，且清洗得的氧化铝单晶洁净度高，清洗方法重复性好。清洗采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110458452A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910739011.4
申请日：2019-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及数据服务技术领域，尤其涉及一种质量驱动的公平数据市场平台、交易系统及方法；其中，该数据市场平台包括：接收模块用于接收买方发送的查询请求，并将查询请求发送至查询模块；查询模块用于根据查询请求执行查询，并将查询数据结果返回至评估模块；评估模块用于根据多项预定的评估指标对查询数据结果进行质量评估，并将质量评估结果发送至定价模块；定价模块用于根据质量评估结果及查询价格计算数据最终价格，并将数据最终价格发送至加密模块；加密模块用于根据数据最终价格生成价格信息，并将价格信息发送至买方；其中价格信息包括价格范围与加密价格。本发明采用了基于质量的定价策略，并采用公平保证机制，避免潜在欺骗行为。
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公开(公告)号：CN106316468A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610629882.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01Q60/24 , C04B41/5346 , C04B41/91 , G01Q70/16
Abstract: 采用AFM金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法，它涉及一种对超硬陶瓷材料局部进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法。本发明是为了解决超硬陶瓷材料化学惰性高、硬度大，难加工的技术问题。本方法如下：一、制备AFM金刚石针尖；二、AFM金刚石针尖对超硬陶瓷材料(SiC单晶)表面刻划。本发明是一种对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法，能直观地观察金刚石晶体对超硬陶瓷材料的刻划情况，在超硬陶瓷材料表面刻划出超细纳米条纹阵列(条纹宽度低至15nm)，具有重复性好、效率高等优点。本发明属于对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的领域。
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公开(公告)号：CN104992900A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510354321.6
申请日：2015-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/033 , H01L33/20
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L33/20
Abstract: α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO2掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO2掩膜步骤复杂，成本高，导致现有α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜难以在α-Al2O3上制备的问题。方法：一、预处理；二、将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α-Al2O3单晶表面；三、将经步骤二处理后的α-Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中处理，即完成α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。本发明的能简单地在α-Al2O3单晶表面制备SiO2掩膜，且可得到微米级六边形SiO2掩膜和纳米级半球形SiO2掩膜，该制备方法重复性好。制备的SiO2掩膜设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于掩膜的制备领域。
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公开(公告)号：CN103949429A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410178793.6
申请日：2014-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 碳化硅单晶的清洗方法，它涉及一种单晶的清洗方法。本是为了解决现有清洗SiC的方法步骤繁琐的技术问题。本方法如下：将SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。本发明的SiC单晶的清洗方法重复性好，清洗得的SiC单晶洁净度高，清洗后的SiC单晶表面只有Si、O、C三种元素，其中杂质碳含量
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公开(公告)号：CN102500573A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110350729.8
申请日：2011-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种α-Al2O3单晶的清洗方法，涉及α-Al2O3单晶的清洗方法。解决因α-Al2O3单晶表面吸附性强、表面性质稳定，不易溶解，导致现有α-Al2O3单晶的清洗方法难以将表面污染物清洗干净的问题。对α-Al2O3单晶依次采用乙醇和表面活性剂浸泡预处理后，然后依次在浓硫酸和双氧水混合液，氨水、双氧水和水混合液，以及浓盐酸、双氧水和水混合液中热浸泡处理即可。本发明的α-Al2O3单晶的清洗方法是一种多步骤的湿化学清洁方法，能有效地将α-Al2O3单晶表面污染物清洗干净，且清洗得的氧化铝单晶洁净度高，清洗方法重复性好。清洗采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。
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