公开(公告)号：CN105177718B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510354323.5

申请日：2015-06-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 申健 ,  张丹 ,  庞春玲 ,  张飞虎 ,  甘阳

IPC: H01L33/22 ,  C30B33/10 ,  C30B29/20

Abstract: 六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作六边角锥体的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混合溶液A高温湿法刻蚀，然后用去离子水冲洗圆锥形图形化蓝宝石片，再氮气吹干，即得六边角锥体图形化蓝宝石。本发明的六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法能有效地将圆锥形图形化蓝宝石转化为六边角锥体图形化蓝宝石，且生成的六边角锥体图形化蓝宝石规则有序，重复性好。且采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于蓝宝石的制备领域。

公开(公告)号：CN104992900A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510354321.6

申请日：2015-06-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 申健 ,  张丹 ,  庞春玲 ,  张飞虎 ,  甘阳

IPC: H01L21/033 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L33/20

Abstract: α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO2掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO2掩膜步骤复杂，成本高，导致现有α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜难以在α-Al2O3上制备的问题。方法：一、预处理；二、将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α-Al2O3单晶表面；三、将经步骤二处理后的α-Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中处理，即完成α-Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。本发明的能简单地在α-Al2O3单晶表面制备SiO2掩膜，且可得到微米级六边形SiO2掩膜和纳米级半球形SiO2掩膜，该制备方法重复性好。制备的SiO2掩膜设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于掩膜的制备领域。

公开(公告)号：CN104992900B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510354321.6

申请日：2015-06-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 申健 ,  张丹 ,  庞春玲 ,  张飞虎 ,  甘阳

IPC: H01L21/033 ,  H01L33/20

Abstract: α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO2掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO2掩膜步骤复杂，成本高，导致现有α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜难以在α‑Al2O3上制备的问题。方法：一、预处理；二、将分散了SiO2球的无水乙醇滴加于α‑Al2O3单晶表面；三、将经步骤二处理后的α‑Al2O3单晶置于室温下5min，然后放置于管式炉中处理，即完成α‑Al2O3单晶表面SiO2掩膜的制作。本发明的能简单地在α‑Al2O3单晶表面制备SiO2掩膜，且可得到微米级六边形SiO2掩膜和纳米级半球形SiO2掩膜，该制备方法重复性好。制备的SiO2掩膜设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于掩膜的制备领域。

公开(公告)号：CN105177718A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510354323.5

申请日：2015-06-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 申健 ,  张丹 ,  庞春玲 ,  张飞虎 ,  甘阳

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/20 ,  H01L33/22

Abstract: 六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作六边角锥体的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混合溶液A高温湿法刻蚀，然后用去离子水冲洗圆锥形图形化蓝宝石片，再氮气吹干，即得六边角锥体图形化蓝宝石。本发明的六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法能有效地将圆锥形图形化蓝宝石转化为六边角锥体图形化蓝宝石，且生成的六边角锥体图形化蓝宝石规则有序，重复性好。且采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明属于蓝宝石的制备领域。