公开(公告)号：CN106316468B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201610629882.7

申请日：2016-08-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张丹 ,  甘阳 ,  申健 ,  朱玉蓉 ,  张飞虎

IPC: C04B41/91 ,  G01Q60/24 ,  G01Q70/16

Abstract: 采用AFM金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法，它涉及一种对超硬陶瓷材料局部进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法。本发明是为了解决超硬陶瓷材料化学惰性高、硬度大，难加工的技术问题。本方法如下：一、制备AFM金刚石针尖；二、AFM金刚石针尖对超硬陶瓷材料(SiC单晶)表面刻划。本发明是一种对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法，能直观地观察金刚石晶体对超硬陶瓷材料的刻划情况，在超硬陶瓷材料表面刻划出超细纳米条纹阵列(条纹宽度低至15nm)，具有重复性好、效率高等优点。本发明属于对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的领域。

公开(公告)号：CN105619185B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201511027840.8

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 甘阳 ,  朱玉蓉 ,  张丹 ,  申健 ,  张飞虎

IPC: B24B1/00

Abstract: 采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，它涉及一种对SiC单晶进行抛光的方法。本发明是为了解决采用金刚石加工SiC，会造成表面损伤，很难达到亚纳米表面粗糙度的技术问题。本方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面，将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟后装针，进针直到无针尖的原子力显微镜探针接触青蒿素晶体，再次将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟；二、预处理；三、刻划；四、观察刻划区域深度。本发明是一种微区模拟的方法，能直观地观察青蒿素晶体对SiC材料的去除情况，且刻划区域明显，重复性好。本发明属于对陶瓷材料局部抛光的领域。

公开(公告)号：CN105619185A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511027840.8

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱玉蓉 ,  张丹 ,  申健 ,  张飞虎 ,  甘阳

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B1/00

Abstract: 采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，它涉及一种对SiC单晶进行抛光的方法。本发明是为了解决采用金刚石加工SiC，会造成表面损伤，很难达到亚纳米表面粗糙度的技术问题。本方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面，将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟后装针，进针直到无针尖的原子力显微镜探针接触青蒿素晶体，再次将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟；二、预处理；三、刻划；四、观察刻划区域深度。本发明是一种微区模拟的方法，能直观地观察青蒿素晶体对SiC材料的去除情况，且刻划区域明显，重复性好。本发明属于对陶瓷材料局部抛光的领域。

公开(公告)号：CN106316468A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610629882.7

申请日：2016-08-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 甘阳 ,  申健 ,  张丹 ,  朱玉蓉 ,  张飞虎

IPC: C04B41/91 ,  G01Q60/24 ,  G01Q70/16

CPC classification number: G01Q60/24 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/91 ,  G01Q70/16

Abstract: 采用AFM金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法，它涉及一种对超硬陶瓷材料局部进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法。本发明是为了解决超硬陶瓷材料化学惰性高、硬度大，难加工的技术问题。本方法如下：一、制备AFM金刚石针尖；二、AFM金刚石针尖对超硬陶瓷材料(SiC单晶)表面刻划。本发明是一种对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的方法，能直观地观察金刚石晶体对超硬陶瓷材料的刻划情况，在超硬陶瓷材料表面刻划出超细纳米条纹阵列(条纹宽度低至15nm)，具有重复性好、效率高等优点。本发明属于对超硬陶瓷材料进行超细纳米条纹阵列结构加工的领域。